[发明专利]铸锭单多晶用侧壁改良涂层坩埚及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201910895729.2 申请日: 2019-09-21
公开(公告)号: CN112536200B 公开(公告)日: 2022-04-01
发明(设计)人: 李良良;钟德京;黄蓉帅;黄福龙;周华 申请(专利权)人: 中材江苏太阳能新材料有限公司;江西中材新材料有限公司;中材高新材料股份有限公司
主分类号: B05D1/02 分类号: B05D1/02;B05D1/28;B05D7/24;B05D7/00;C30B28/06;C30B29/06
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 郝传鑫;熊永强
地址: 222000 江苏省连*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 铸锭 多晶 侧壁 改良 涂层 坩埚 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.铸锭单多晶用侧壁改良涂层坩埚的制备方法,其特征在于,包括:

提供坩埚本体,所述坩埚本体包括底座及由底座向上延伸的侧壁;

将氮化硅、硅溶胶和水混合形成第一混合液,将所述第一混合液滚涂在所述侧壁的内表面,形成第一氮化硅层,所述第一氮化硅层的表面粗糙度Ra小于20μm;

将石英砂与水混合经研磨形成石英浆料,所述石英浆料与硅溶胶和水混合形成混合浆料,将所述混合浆料喷涂在所述第一氮化硅层上,形成石英层,所述石英层完全覆盖所述第一氮化硅层,所述石英层的表面粗糙度Ra为40μm-55μm;

将氮化硅、硅溶胶和水混合形成第二混合液,将所述第二混合液喷涂在所述石英层上,形成第二氮化硅层,所述第二氮化硅层的表面粗糙度Ra为60μm-80μm,得到铸锭单多晶用侧壁改良涂层坩埚。

2.如权利要求1所述的铸锭单多晶用侧壁改良涂层坩埚的制备方法,其特征在于,所述混合浆料喷涂在所述第一氮化硅层上的喷涂工艺参数包括枪距25cm-40cm,喷涂流量(13.5-14)g/s,扇 幅范围25cm-35cm,扇 幅压力0.2MPa-0.3MPa,雾化压力0.05MPa-0.15MPa。

3.如权利要求1所述的铸锭单多晶用侧壁改良涂层坩埚的制备方法,其特征在于,所述第二混合液喷涂在所述石英层上的喷涂工艺参数包括枪距28cm-37cm,喷涂流量(3.6-4.2)g/s,扇 幅范围32cm-38m,扇 幅压力0.18MPa-0.22MPa,雾化压力0.18MPa-0.35MPa,喷涂温度60℃-90℃,喷涂7圈-10圈。

4.如权利要求1所述的铸锭单多晶用侧壁改良涂层坩埚的制备方法,其特征在于,所述第一混合液中氮化硅、硅溶胶和水的质量比为1:(0.3-0.6):(1.0-1.3)。

5.如权利要求1所述的铸锭单多晶用侧壁改良涂层坩埚的制备方法,其特征在于,所述混合浆料中石英浆料、硅溶胶和水的质量比为1:(0.04-0.07):(0.18-0.21)。

6.如权利要求1所述的铸锭单多晶用侧壁改良涂层坩埚的制备方法,其特征在于,所述第二混合液中氮化硅、硅溶胶和水的质量比为1:(0.2-0.3):(2-2.5)。

7.如权利要求1所述的铸锭单多晶用侧壁改良涂层坩埚的制备方法,其特征在于,所述石英砂的纯度大于或等于99.99%,中位粒径为1μm-10μm,所述石英浆料的粘度450cp-600cp。

8.如权利要求1所述的铸锭单多晶用侧壁改良涂层坩埚的制备方法,其特征在于,所述氮化硅的纯度大于或等于99.999%,中位粒径为1μm-6μm。

9.铸锭单多晶用侧壁改良涂层坩埚,其特征在于,通过如权利要求1-8任一项所述的铸锭单多晶用侧壁改良涂层坩埚的制备方法制备得到,所述铸锭单多晶用侧壁改良涂层坩埚包括所述坩埚本体和依次设置在所述坩埚本体的所述侧壁的内表面上的所述第一氮化硅层、所述石英层和所述第二氮化硅层,其中,所述第一氮化硅层的表面粗糙度Ra小于20μm,所述石英层的表面粗糙度Ra为40μm-55μm,所述第二氮化硅层的表面粗糙度Ra为60μm-80μm。

10.如权利要求9所述的铸锭单多晶用侧壁改良涂层坩埚,其特征在于,所述第一氮化硅层的厚度为100μm-150μm,所述石英层的厚度为150μm-200μm,所述第二氮化硅层的厚度为600μm-800μm。

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