[发明专利]离子切割校准装置、校准方法及离子切割装置有效
申请号: | 201910894177.3 | 申请日: | 2019-09-20 |
公开(公告)号: | CN110605467B | 公开(公告)日: | 2020-08-04 |
发明(设计)人: | 杜忠明;杨继进;周飞;陈卫 | 申请(专利权)人: | 中国科学院地质与地球物理研究所 |
主分类号: | H01J37/00 | 分类号: | H01J37/00;B23K10/00 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 王欢;刘芳 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种离子切割校准装置、校准方法及离子切割装置。该离子切割校准装置包括第一校准组件和第二校准组件,第一校准组件具有第一校准面,第二校准组件具有第二校准面;待校准样品和样品托板设置在第一校准面上,以调整待校准样品在样品托板上的位置,并形成初校准样品;初校准样品设置在第二校准面上,第二校准面与离子切割装置的挡板相对设置,以调整初校准样品与离子切割装置的挡板的相对位置,并形成校准样品。该离子切割装置包括离子发生器、挡板以及上述的离子切割校准装置。本发明提高了校准装样的准确性,减少了校准样品表面的离子划痕,缩短了离子切割的时间,从而提高了离子切割的效率。 | ||
搜索关键词: | 离子 切割 校准 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种离子切割校准装置,用于离子切割装置的装样校准,其特征在于,包括第一校准组件和第二校准组件,所述第一校准组件具有第一校准面,所述第二校准组件具有第二校准面;/n待校准样品和样品托板设置在所述第一校准面上,以调整所述待校准样品在所述样品托板上的位置,并形成初校准样品;/n所述初校准样品设置在所述第二校准面上,所述第二校准面与所述离子切割装置的挡板相对设置,以调整所述初校准样品与所述离子切割装置的挡板的相对位置,并形成校准样品。/n
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