[发明专利]一种等离子体处理装置在审
| 申请号： | 201910880955.3 | 申请日： | 2019-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN112530776A | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 吴磊;梁洁;王伟娜 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 潘颖 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种等离子体处理装置，包括反应腔，反应腔包括顶壁、侧壁与底壁；位于反应腔内、且设置于顶壁处的上电极；位于反应腔内、且与上电极相对设置的下电极；位于反应腔内、且环绕下电极设置的接地环；环绕下电极设置、且连接于接地环与侧壁之间的导电支架，导电支架包括接触接地环的内接环、接触侧壁的外接环及连接于外接环和内接环之间的多个阻抗可调器件。在接地环和侧壁之间连接有包括有多个阻抗可调器件的导电支架，不同阻抗可调器件能够调节接地环不同区域的阻抗，达到调节射频回路的阻抗的目的；通过对不同阻抗可调器件的阻抗优化调节，实现射频分布对称性的调节，使得等离子体处理装置达到刻蚀均匀性高的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】：
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