[发明专利]一种双结型SiC器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201910878431.0 | 申请日： | 2019-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN110690320A | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 张伟;汤乃云;叶怀宇;张国旗 | 申请（专利权）人： | 深圳第三代半导体研究院 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/0232;H01L31/028;H01L31/115 |
| 代理公司： | 11226 北京中知法苑知识产权代理有限公司 | 代理人： | 阎冬;李明 |
| 地址： | 518055 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种双结型SiC器件及其制备方法，包括以下步骤：1)N型SiC衬底上形成P型SiC层；2)P型SiC层上形成N型SiC层；3)在所述N型SiC衬底底部设置第一电极，刻蚀所述N型SiC层并沉积第三电极；4)刻蚀所述N型SiC层和P型SiC层并沉积第2电极；5)N型SiC层上生长荧光层；6)金属封装荧光层和部分N型SiC层形成金属层。7)在所述金属层的内侧涂覆光反射层；8)在所述金属层顶部开辐射窗口。与现有技术相比，本发明采用两个PN结并联，光电压现象较为显著，探测灵敏度高。同时器件使用了荧光材料做为转换材料，增加可探测光子数目，并使用金属反射层提高光收集效率，探测灵敏度进一步增强。 | ||
| 搜索关键词： | 金属层 探测灵敏度 荧光层 衬底 刻蚀 沉积 光收集效率 金属反射层 第三电极 第一电极 光反射层 金属封装 器件使用 荧光材料 转换材料 光电压 可探测 电极 并联 光子 双结 涂覆 制备 辐射 生长 | ||
【主权项】：
1.一种双结型SiC器件制备方法，其特征在于，包括/n1)N型SiC衬底上通过掺杂形成P型SiC层；/n2)P型SiC层上通过掺杂形成N型SiC层；/n3)在所述N型SiC衬底底部沉积第一电极，刻蚀所述N型SiC层并沉积第三电极；/n4)刻蚀所述N型SiC层和P型SiC层并沉积第二电极；/n5)N型SiC层上生长荧光层；/n6)金属封装荧光层和部分N型SiC层形成金属层。/n7)在所述金属层的内侧涂覆反射层；/n8)在所述金属层顶部形成辐射窗口。/n
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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