[发明专利]制造包括多个二极管的光电装置的方法在审
| 申请号： | 201910870006.7 | 申请日： | 2019-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN110896084A | 公开（公告）日： | 2020-03-20 |
| 发明（设计）人： | 休伯特·博诺;朱莉娅·西蒙 | 申请（专利权）人： | 原子能与替代能源委员会 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L27/15 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 王小衡;胡彬 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种制造光电装置的方法，包括以下步骤：a)将至少包括相反导电类型的第一和第二半导体层的有源二极管堆叠件转移到控制电路的连接表面上，使得所述堆叠件的第二半导体层面向所述控制电路的连接表面，并且通过至少一个绝缘层与所述控制电路的连接表面分离开；b)在所述有源堆叠件中形成界定了多个二极管的沟槽，所述沟槽延伸穿过绝缘层并且出现在所述控制电路的连接表面上；以及c)在所述沟槽中形成金属化部分，其将所述第二半导体层连接到所述控制电路的连接表面。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 包括 二极管 光电 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
