[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201910868644.5 | 申请日： | 2019-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN110707156A | 公开（公告）日： | 2020-01-17 |
| 发明（设计）人： | 翟玉浩 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/335;H01L29/06 |
| 代理公司： | 44300 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) | 代理人： | 李汉亮 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请提供一种薄膜晶体管及其制备方法，所述薄膜晶体管包括基板、栅极、栅极绝缘层、半导体单元、源极和漏极。所述栅极、栅极绝缘层、半导体单元、源极和漏极依次设置于所述基板上，所述源极覆盖部分所述栅极绝缘层和所述半导体单元的一端，所述源极包括若干第一通槽，所述漏极包括若干第二通槽，所述第一通槽和所述第二通槽贯穿所述漏极和所述漏极以暴露所述栅极绝缘层和所述半导体单元。在所述薄膜晶体管中的源极和漏极中设置若干所述通槽，减少了器件的裂纹，进而提高了器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 漏极 通槽 源极 半导体单元 栅极绝缘层 薄膜晶体管 基板 依次设置 制备 暴露 贯穿 覆盖 申请 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：/n基板；/n栅极，所述栅极设置于所述基板上；/n栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖所述基板和所述栅极；/n半导体单元，所述半导体单元设置于所述栅极绝缘层上，所述半导体单元包括第一半导体区域、第二半导体区域和第三半导体区域，所述半导体单元的第一半导体区域和第三半导体区域位于所述第二半导体区域的两端；/n源极，所述源极覆盖部分所述栅极绝缘层和所述半导体单元的第一半导体区域，所述源极包括第一区域和第二区域，所述源极的第一区域与第二区域电连接，所述源极的第一区域包括若干第一通槽和/或第一通孔，所述第一通槽和/或第一通孔贯穿所述源极的第一区域以暴露所述栅极绝缘层和所述半导体单元；以及/n漏极，所述漏极覆盖部分所述栅极绝缘层和所述半导体单元的第一半导体区域，所述漏极包括第三区域和第四区域，所述漏极的第三区域与第四区域电连接，所述漏极的第三区域包括若干第二通槽和/或第二通孔，所述第二通槽和/或第二通孔贯穿所述漏极的第三区域以暴露所述栅极绝缘层和所述半导体单元。/n
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