[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法

说明书

本申请提供一种薄膜晶体管及其制备方法，所述薄膜晶体管包括基板、栅极、栅极绝缘层、半导体单元、源极和漏极。所述栅极、栅极绝缘层、半导体单元、源极和漏极依次设置于所述基板上，所述源极覆盖部分所述栅极绝缘层和所述半导体单元的一端，所述源极包括若干第一通槽，所述漏极包括若干第二通槽，所述第一通槽和所述第二通槽贯穿所述漏极和所述漏极以暴露所述栅极绝缘层和所述半导体单元。在所述薄膜晶体管中的源极和漏极中设置若干所述通槽，减少了器件的裂纹，进而提高了器件的性能。

技术领域

本申请涉及显示领域，具体涉及一种薄膜晶体管及其制造方法。

背景技术

随着电子显示技术的不断发展，柔性显示装置以其质量轻、厚度小、寿命长和可弯曲等众多优点，成为了最具发展潜力的新一代显示技术，但是，柔性基板的源漏极在弯曲或折叠的过程中，由于外力的作用下容易出现裂纹，并扩散至沟道处，导致源漏极的电连接性的下降，从而影响器件的性能。

发明内容

本申请提供一种薄膜晶体管及其制造方法，以提高器件的性能。

本申请提供一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：

基板；

栅极，所述栅极设置于所述基板上；

栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖所述基板和所述栅极；

半导体单元，所述半导体单元设置于所述栅极绝缘层上，所述半导体单元包括第一半导体区域、第二半导体区域和第三半导体区域，所述半导体单元的第一半导体区域和第三半导体区域位于所述第二半导体区域的两端；

源极，所述源极覆盖部分所述栅极绝缘层和所述半导体单元的第一半导体区域，所述源极包括第一区域和第二区域，所述源极的第一区域与第二区域电连接，所述源极的第一区域包括若干第一通槽和/或第一通孔，所述第一通槽和/或第一通孔贯穿所述源极的第一区域以暴露所述栅极绝缘层和所述半导体单元；以及

漏极，所述漏极覆盖部分所述栅极绝缘层和所述半导体单元的第一半导体区域，所述漏极包括第三区域和第四区域，所述漏极的第三区域与第四区域电连接，所述漏极的第三区域包括若干第二通槽和/或第二通孔，所述第二通槽和/或第二通孔贯穿所述漏极的第三区域以暴露所述栅极绝缘层和所述半导体单元。

在本申请所提供的薄膜晶体管中，所述若干第一通槽和/或第一通孔的宽度为1微米-3微米，所述若干第二通槽和/或第二通孔的宽度为1微米-3微米。

在本申请所提供的薄膜晶体管中，所述源极和所述漏极的长度为100微米-200微米。

在本申请所提供的薄膜晶体管中，所述源极和所述漏极的材料包括Mo、Al、Ti、Cu和ITO中的一种或几种的组合。

在本申请所提供的薄膜晶体管中，所述源极的若干第一通槽和/或第一通孔的数量为4个-50个，所述漏极的若干第二通槽和/或第二通孔的数量为4个-50个。

本申请提供一种薄膜晶体管的制备方法，所述薄膜晶体管的制备方法包括：

提提供一基板；

在所述基板上形成栅极；

在所述基板及所述栅极上形成栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上形成半导体单元，所述半导体单元包括第一半导体区域、第二半导体区域和第三半导体区域，所述第一半导体区域和第三半导体区域位于所述第二半导体区域的两端；以及