[发明专利]一种UV LED外延结构及其生长方法有效
| 申请号： | 201910866087.3 | 申请日： | 2019-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN110518101B | 公开（公告）日： | 2023-10-13 |
| 发明（设计）人： | 李志聪;曹俊文;戴俊;王国宏 | 申请（专利权）人： | 扬州中科半导体照明有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 225009 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种UV LED外延结构及其生长方法，涉及LED外延生长技术领域和近紫外UV LED固化技术领域。先在衬底上外延生长缓冲层、非故意掺杂AlGaN层和n型掺杂AlGaN层，然后制作出多量子阱有源层的发光层第一、第二和第三生长区域，并在相应区域内外延生长发光量子阱和发光量子势垒，最后在外延结构上通过光刻工艺刻蚀掉多量子阱有源层第一和第二发光层上的绝缘介质掩膜层，再外延生长电子阻挡层和p型掺杂AlGaN层。本发明达到了在同一LED芯片上制造出三种不同波长的UV光源的目的，可减少UV光源数量和曝光工序，简化封装与应用的工艺制作流程，降低了产品失效率，提高功率密度，改善固化效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 uv led 外延 结构 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种UV LED外延结构，自下而上包括：衬底、缓冲层、非故意掺杂AlGaN层、n型掺杂AlGaN层、多量子阱有源层、电子阻挡层和p型掺杂AlGaN层；/n其特征在于：所述多量子阱有源层包括多量子阱有源层第一发光层、多量子阱有源层第二发光层和多量子阱有源层第三发光层；/n所述多量子阱有源层第一发光层、多量子阱有源层第二发光层和多量子阱有源层第三发光层横向分布于所述n型掺杂AlGaN层上；/n所述电子阻挡层横向分布于所述多量子阱有源层第一发光层、多量子阱有源层第二发光层和多量子阱有源层第三发光层上；/n所述多量子阱有源层第一发光层由5～15对第一发光量子阱Inx1Ga1-x1N和第一发光量子势垒AlyGa1-yN组成，其中，x1为0～0.02，y为0～0.2；/n所述多量子阱有源层第二发光层由5～15对第二发光量子阱Inx2Ga1-x2N和第二发光量子势垒AlyGa1-yN组成，其中，x2为0.02～0.04，y为0～0.2；/n所述多量子阱有源层第三发光层由5～15对第三发光量子阱Inx3Ga1-x3N和第三发光量子势垒AlyGa1-yN组成，其中，x3为0.04～0.07，y为0～0.2。/n
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