[发明专利]一种三维器件的套刻误差补偿方法及系统有效
申请号: | 201910861907.X | 申请日: | 2019-09-12 |
公开(公告)号: | CN110620057B | 公开(公告)日: | 2021-12-07 |
发明(设计)人: | 张利斌;韦亚一;陈睿;马乐 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01B11/06;G01B11/24 |
代理公司: | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人: | 王胜利 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了一种三维器件的套刻误差补偿方法,包括在测量晶圆套刻标识之间的第一套刻误差的基础上,再测量晶圆翘曲高度,并以第一套刻误差作为基准坐标,基于基准坐标和晶圆翘曲高度构造高度轮廓图;对高度轮廓图进行特征分析,获取高度曲面轮廓数据;基于套刻标识的图层信息和高度曲面轮廓数据进行计算,得到第二套刻误差;第一套刻误差减第二套刻误差,得到修正数据,基于修正数据补偿采用传统套刻测量方法测量出的套刻误差,解决了由于晶圆形变和翘曲所导致的高度差带来的套刻误差。本发明还提供了一种三维器件的套刻误差补偿系统,通过加入激光测距单元,能够准确测量晶圆翘曲高度,实现对现有套刻测量系统的修正和性能提升。 | ||
搜索关键词: | 一种 三维 器件 误差 补偿 方法 系统 | ||
【主权项】:
1.一种三维器件的套刻误差补偿方法,其特征在于,包括以下步骤:/n提供一晶圆,并在所述晶圆上设计套刻标识,基于所述套刻标识对所述晶圆进行套刻测量,得到第一套刻误差;/n测量所述晶圆翘曲高度,以所述第一套刻误差作为基准坐标,基于所述基准坐标和所述晶圆翘曲高度构造高度轮廓图;/n对所述高度轮廓图进行特征分析,获取高度曲面轮廓数据;/n获取所述套刻标识的图层信息,基于所述图层信息和所述高度曲面轮廓数据进行计算,得到第二套刻误差,所述第一套刻误差减所述第二套刻误差,得到修正数据,基于所述修正数据对所述晶圆进行套刻误差补偿。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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