[发明专利]一种石墨烯基异质结场效应晶体管、制备方法及其集成电路在审
| 申请号： | 201910838249.2 | 申请日： | 2019-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN110534579A | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 钱凌轩;邢志阳;张怡宇;李雪松;张万里 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 51229 成都正华专利代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 李亚男<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种石墨烯基异质结场效应晶体管、制备方法及其集成电路，属于半导体器件技术领域。其包括：衬底、栅电极、电介质层、石墨烯层、源电极和漏电极，还包括：氧化物半导体层，且氧化物半导体层设置在石墨烯层与源电极和漏电极之间，器件可采用顶栅或底栅结构。其制备方法包括：在栅电极上沉积形成电介质层；在电介质层上形成石墨烯层；在石墨烯层上形成氧化物半导体层；在氧化物半导体层的两端分别形成源电极和漏电极。本发明提高了传统石墨烯FET器件的开关比，并且获得足够高的迁移率以及可饱和的输出特性，因此能够满足其在逻辑和射频领域的相关应用，且制造方式简单，有利于大规模生产应用。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物半导体层 石墨烯层 电介质层 漏电极 源电极 栅电极 制备 异质结场效应晶体管 半导体器件技术 传统石墨 底栅结构 石墨烯基 输出特性 开关比 可饱和 迁移率 衬底 顶栅 射频 沉积 集成电路 应用 制造 | ||
【主权项】：
1.一种石墨烯基异质结场效应晶体管，包括衬底、栅电极、电介质层、石墨烯层、源电极和漏电极，其特征在于，还包括：氧化物半导体层，且氧化物半导体层设置在石墨烯层与源电极和漏电极之间。/n
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