[发明专利]N缺位高纯Ti2AlN粉体材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201910833225.8 | 申请日： | 2019-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN110407585A | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 贾汶哲;马朝阳;郭锋;张鹏程;李世波;黄振莺;周洋 | 申请（专利权）人： | 北京交通大学 |
| 主分类号： | C04B35/58 | 分类号： | C04B35/58;C04B35/626;C04B38/00;C01B21/06 |
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| 地址： | 100044 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种N缺位非化学计量比高纯Ti2AlN MAX粉体材料及其制备方法。本发明的镁基复合材料成分如下：Ti2AlN中的N含量不在是1，而是可处于0.85和1.0区间内，如摘要图所示，a和c轴的晶格参数可以通过N含量来进行调节；其N缺位的Ti2AlN陶瓷显微结构为疏松多孔，而且Ti2AlN的晶粒大小可以调控。制备方法：(1)配料：将商用的Ti粉,Al粉and AlN粉按照Ti:Al:N＝2:(1.05‑1.0):(0.85‑1.0)的比例进行配比；(2)混料；(3)压坯；(4)烧结温度升在1400℃‑1480℃，保温在10‑40mins；(5)破碎及球磨；(6)干燥并过筛。 | ||
| 搜索关键词： | 缺位 制备 粉体材料 高纯 非化学计量比 镁基复合材料 陶瓷显微结构 晶粒 晶格参数 疏松多孔 烧结 过筛 混料 配比 球磨 商用 压坯 保温 破碎 调控 | ||
【主权项】：
1.一种N缺位非化学计量比高纯Ti2AlN MAX粉体材料及其制备方法，其特征在于：Ti2AlN中的N含量y＝0.85‑1.0，制备方法采用了无压烧结。
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