[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201910832477.9 | 申请日： | 2019-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN110707153A | 公开（公告）日： | 2020-01-17 |
| 发明（设计）人： | 石逸群;叶顺闵 | 申请（专利权）人： | 聚力成半导体(重庆)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/08 |
| 代理公司： | 34126 合肥市科融知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 陈思聪 |
| 地址： | 402360 重*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置，半导体装置包括一基底、一第一III‑V族化合物层、一栅极、多个以高积集度排列设置的漏极沟槽以及至少一漏极。基底具有一第一侧以及与第一侧相反的一第二侧。第一III‑V族化合物层设置在基底的第一侧。栅极设置在第一III‑V族化合物层上。各漏极沟槽自基底的第二侧朝向第一侧延伸而贯穿基底，且多个漏极沟槽规则排列设置。漏极设置在多个漏极沟槽中的至少一个中。 | ||
| 搜索关键词： | 漏极 基底 半导体装置 规则排列 排列设置 积集度 贯穿 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：/n一基底，具有一第一侧以及与所述第一侧相反的一第二侧；/n一第一III-V族化合物层，设置在所述基底的所述第一侧；/n一栅极，设置在所述第一III-V族化合物层上；/n多个以高积集度排列设置的漏极沟槽，其中各所述漏极沟槽自所述基底的所述第二侧朝向所述第一侧延伸而贯穿所述基底，且该多个漏极沟槽规则排列设置；以及/n至少一漏极，设置在该多个漏极沟槽中的至少一个中。/n
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