[发明专利]低损耗材料微波介电测试中TE011有效

专利信息
申请号: 201910827868.1 申请日: 2019-09-03
公开(公告)号: CN110441614B 公开(公告)日: 2020-10-16
发明(设计)人: 李雷;陈湘明 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: G01R27/26 分类号: G01R27/26
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人: 万尾甜;韩介梅
地址: 310058 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及低损耗材料微波介电测试中识别TE011谐振模式的方法。该方法引入了具有已知介电常数的基准试样。根据谐振器中只放置基准试样及同时放置基准试样和待测试样时TE011模式谐振频率的变化,即可通过数值方法计算出待测试样的介电常数,并由此进一步计算出只放置待测试样、进行微波介电性能测试时TE011模式的谐振频率。此谐振频率的计算值与实际测试值相差在1%以内,因此能准确地将TE011模式从大量干扰模式中识别出来。与之前TE011谐振模式的识别方法相比,本发明提供的方法具有准确、简单、快速的特点。
搜索关键词: 损耗 材料 微波 测试 te base sub 011
【主权项】:
1.一种在低损耗材料微波介电测试中识别TE011谐振模式的方法,其特征在于包括以下步骤:(1)将具有已知介电常数εr,R的基准试样R放置在谐振器内,根据基准试样的尺寸及介电常数εr,R,用数值方法计算TE011模式的谐振频率f0,A;用网络分析仪在f0,A±1%的范围内找到TE011模式的谐振峰,记录谐振频率f0,1;(2)将待测试样S放置在基准试样R上,放置过程中观测TE011模式谐振峰的移动,并记录放置完毕后的谐振频率f0,2;根据基准试样的尺寸、介电常数εr,R、待测试样的尺寸及谐振频率f0,2,用数值方法计算得到待测试样S的介电常数εr,S;(3)将待测试样S和基准试样R移出谐振器,将待测试样S单独放置在谐振器中;根据待测试样的尺寸及介电常数εr,S,用数值方法计算出只放置待测试样S时TE011模式的谐振频率f0,B;用网络分析仪在f0,B±1%的范围内找到TE011模式的谐振峰,记录谐振频率f0,3,完成模式识别。
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