[发明专利]提高铝合金电子器件封装气密性的方法在审
| 申请号： | 201910820046.0 | 申请日： | 2017-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN110524133A | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 唐建超 | 申请（专利权）人： | 成都盘涅科技有限公司 |
| 主分类号： | B23K31/02 | 分类号： | B23K31/02;C23C24/10;B23K101/36 |
| 代理公司： | 51233 成都中玺知识产权代理有限公司 | 代理人： | 谭昌驰;邢伟<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址： | 610000 四川省成都市高*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种提高铝合金电子器件封装气密性的方法。所述方法包括：对焊接形成的焊缝进行清洁处理；设置覆盖焊缝外表面的待熔覆粉末层，进行激光熔覆并控制熔覆温度始终不高于所述铝合金电子器件内的电子元件的温度耐受上限值且不高于100℃，以在所述焊缝上形成致密结合层。本发明能够显著提高铝合金电子器件封装的气密性和成品率，甚至于成品率可达99％，能够满足航空航天等诸多领域的要求，且无需外加保护气体，大幅度降低了生产成本、同时操作简便。 | ||
| 搜索关键词： | 焊缝 铝合金 电子器件封装 成品率 气密性 致密 保护气体 电子器件 航空航天 激光熔覆 清洁处理 熔覆粉末 结合层 耐受 熔覆 焊接 生产成本 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种提高铝合金电子器件封装气密性的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：/n对通过焊接完成封装的铝合金电子器件的焊缝进行清洁处理；/n设置覆盖焊缝外表面的待熔覆粉末层，进行激光熔覆并控制熔覆温度始终不高于第一温度，以在所述焊缝上形成致密结合层，其中，所述第一温度为所述铝合金电子器件内的电子元件的温度耐受上限值且不高于100℃。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都盘涅科技有限公司，未经成都盘涅科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910820046.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
