[发明专利]一种光控忆阻器及其制备方法在审
| 申请号： | 201910818407.8 | 申请日： | 2019-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN110690345A | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 韩素婷;杨嘉钦;周黎;周晔 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 44268 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 518060 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种光控忆阻器及其制备方法，所述光控忆阻器包括基底，底电极层，ABX | ||
| 搜索关键词： | 钙钛矿 活性层 忆阻器 钙钛矿材料 底电极层 光控 基底 沉积 制备 顶电极层 光电转换效率 电场 操作电压 导电通道 定向移动 降低器件 离子迁移 离子移动 神经形态 活化能 可控的 旋涂法 有效地 阻态 离子 调控 应用 | ||
【主权项】：
1.一种光控忆阻器，其特征在于，包括：基底，沉积在所述基底上的底电极层，沉积在所述底电极层上的ABX
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