[发明专利]等离子体刻蚀工艺有效
| 申请号： | 201910809797.2 | 申请日： | 2019-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN110459458B | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 陈敏敏;张年亨;刘克 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 张彦敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及等离子体刻蚀工艺，涉及半导体集成电路制造工艺，通过在刻蚀过程中，缩短上部直流偏压的使用时间，并且上部直流偏压关闭时间要早于射频功率，使得在关闭上部直流偏压之后，依然可以提供较强的电场，进而改变颗粒物浮动轨迹，减少颗粒物掉落在晶圆表面，避免造成缺陷，提高晶圆良率。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 刻蚀 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体刻蚀工艺，适用于一等离子体刻蚀机台，所述等离子体刻蚀机台包括产生等离子体的射频电源；静电吸盘，静电吸盘用于放置待刻蚀的晶圆；上部电极；上部直流偏压以及排气装置，其特征在于，等离子体刻蚀工艺包括：/nS1：点火，射频电源开启，上部电极产生等离子体，同时上部直流偏压开启；/nS2：在等离子体刻蚀工艺期间在反应腔体内产生颗粒，颗粒在晶圆上方、上部电极与静电吸盘之间运动；以及/nS3：先关闭上部直流偏压，然后关闭射频电源，位于上部电极与静电吸盘之间的部分颗粒掉随排气装置排出。/n
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