[发明专利]等离子体刻蚀工艺

权利要求书

1.一种等离子体刻蚀工艺，适用于一等离子体刻蚀机台，所述等离子体刻蚀机台包括产生等离子体的射频电源；静电吸盘，静电吸盘用于放置待刻蚀的晶圆；上部电极；上部直流偏压以及排气装置，其特征在于，等离子体刻蚀工艺包括：

S1：点火，射频电源开启，上部电极产生等离子体，同时上部直流偏压开启；

S2：在等离子体刻蚀工艺期间在反应腔体内产生颗粒，颗粒在晶圆上方、上部电极与静电吸盘之间运动；以及

S3：先关闭上部直流偏压，然后关闭射频电源，位于上部电极与静电吸盘之间的部分颗粒掉随排气装置排出。

2.根据权利要求1所述的等离子体刻蚀工艺，其特征在于，静电吸盘是用于晶圆固定和温度控制的重要部件，它通过绝缘层产生的静电力吸附固定晶圆，并通过绝缘层槽道中的冷却气体和基座中的循环冷却液使晶圆表面稳定在设定温度。

3.根据权利要求1所述的等离子体刻蚀工艺，其特征在于，在S1中，在上部电极产生的等离子体源中包括带正电的离子和带负电的离子，上部直流偏压开启后吸引等离子体源中带正电的离子，使带正电的离子与等离子体源中带负电的离子发生撞击。

4.根据权利要求1所述的等离子体刻蚀工艺，其特征在于，在S2期间部分颗粒随排气装置排出。

5.根据权利要求1所述的等离子体刻蚀工艺，其特征在于，在S3中在关闭上部直流偏压0.2秒后关闭射频电源。

6.根据权利要求1所述的等离子体刻蚀工艺，其特征在于，在S3中，在关闭上部直流偏压后，射频电源仍处于开启状态，在上部直流偏压关闭至射频电源关闭之间的期间，射频电源仍提供强的电场而使颗粒不掉落在晶圆上，并由于射频电源仍处于开启状态，则上部电极仍产生等离子体，上部电极产生的等离子体轰击位于上部电极与静电吸盘之间的颗粒，使颗粒随排气装置排出。