[发明专利]晶背缺陷的检测方法有效
| 申请号： | 201910809001.3 | 申请日： | 2019-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN110517970B | 公开（公告）日： | 2022-10-21 |
| 发明（设计）人： | 袁增艺;龙吟;王恺 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶背缺陷的检测方法，包括：步骤一、提供信号数据库，信号数据库中包括各种不同缺陷对应的信号数据，缺陷包括各种不同高度或宽度的凸缺陷和各种不同深度或宽度的凹缺陷；信号数据为将斜入射光源照射到缺陷后所收集到的发射和散射光信号转换形成的数据，信号数据反应了对应的缺陷的3D信息；步骤二、采用斜入射光对被测晶圆进行背面扫描并收集对应的发射和散射光数据；步骤三、收集的发射和散射光数据和步骤一的信号数据库中的信号数据进行比较并拟合出被测晶圆背面的缺陷3D分布图。本发明能测试晶背缺陷的高度或深度并形成晶背缺陷的3D分布图，有利于分析晶背缺陷的来源并及时处理，减少故障排除时间和提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 缺陷 检测 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶背缺陷的检测方法，其特征在于，包括如下步骤：/n步骤一、提供信号数据库，所述信号数据库中包括各种不同缺陷对应的信号数据，所述缺陷包括各种不同高度或宽度的凸缺陷和各种不同深度或宽度的凹缺陷；所述信号数据为将斜入射光源照射到对应的所述缺陷后所收集到的发射和散射光信号转换形成的数据，每一种所述缺陷对应于一种所述信号数据，所述信号数据反应了对应的所述缺陷的3D信息，所述缺陷的3D信息包括高度或深度信息；/n步骤二、采用斜入射光对被测晶圆进行背面扫描并收集对应的发射和散射光数据；/n步骤三、将步骤二中所收集到的所述发射和散射光数据和步骤一的所述信号数据库中的所述信号数据进行比较并拟合出所述被测晶圆背面的缺陷3D分布图，所述缺陷3D分布图中包括了晶背缺陷对应的高度或深度信息。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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