[发明专利]一种动态NandFlash危险块筛选的方法在审

专利信息
申请号: 201910794154.5 申请日: 2019-08-27
公开(公告)号: CN110517719A 公开(公告)日: 2019-11-29
发明(设计)人: 张明;魏智汎;王展南;曾瑞华 申请(专利权)人: 江苏华存电子科技有限公司
主分类号: G11C29/42 分类号: G11C29/42;G11C29/44;G06F3/06
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 226300 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种动态NandFlash危险块筛选的方法,将在默认电压下出现ECC Fail的块中的页使用所有的可读取电压,并看是否有电压能将页的Error Bit降到阈值以下,若使用所有可读取电压读出的Error Bit都大于阈值T,则将这个块标记为危险块,若有一个读取电压读出的Error Bit不大于阈值T,则认为这个块是正常的,该发明可以筛选出在使用过程中导致NandFlash内特性不佳的危险块,用户把经过筛选的危险块的数据读出,放到正常块中,并把这个危险块避过不再使用,避免因为下次使用了危险块导致一系列不稳定的问题出现,提升了产品的稳定性。
搜索关键词: 读出 可读取 筛选 读取电压
【主权项】:
1.一种动态NandFlash危险块筛选的方法,其特征在于:包括以下步骤:/n步骤一:在NandFlash使用过程中使用默认电压出现ECC Fail;/n步骤二:使用厂商提供的读取电压表,并看出错的页在每个读取电压表的条件下读取时的Error Bit,如果在每个读取电压表的条件下Error Bit都大于阈值T,那么就把这个块标为危险块;/n步骤三:只要块中有一个页经过所有的读取电压表的Error Bit都大于阈值T,就说明该块为危险块,进行标注,并进行下一个块的筛选;/n步骤四:若块中所有页不需要经过所有的读取电压表就可以把Error Bit降低到阈值T以下则认为是正常的块。/n
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