[发明专利]一种动态NandFlash危险块筛选的方法

说明书

本发明公开了一种动态NandFlash危险块筛选的方法，将在默认电压下出现ECC Fail的块中的页使用所有的可读取电压，并看是否有电压能将页的Error Bit降到阈值以下，若使用所有可读取电压读出的Error Bit都大于阈值T，则将这个块标记为危险块，若有一个读取电压读出的Error Bit不大于阈值T，则认为这个块是正常的，该发明可以筛选出在使用过程中导致NandFlash内特性不佳的危险块，用户把经过筛选的危险块的数据读出，放到正常块中，并把这个危险块避过不再使用，避免因为下次使用了危险块导致一系列不稳定的问题出现，提升了产品的稳定性。

技术领域

本发明涉及数据存储技术领域，具体为一种动态NandFlash危险块筛选的方法。

背景技术

NandFlash可以在无电源的情况下仍然保持电荷，存储方式基于浮栅(FloatingGate)的技术，在栅极(控制栅)与漏极之间存在浮置栅，用于存储数据。

数据在NandFlash中的存储是以电荷形式存储的，栅极及主板利用氧化膜进行绝缘处理，所以可以使电荷存储很长时间，但是如果氧化膜存在缺陷或者遭到破坏，那么数据就会收到破坏。

由于制作工艺或者硬件电气特性的影响，存储在NandFlash存储器中的数据位会发生反转。当前使用NandFlash的产品中，都会通过解码模块对Nand进行解码，当发生反转的数据量较大并超出硬件纠错模块的纠错能力时，可能就会产生数据丢失。

所以在读取数据时容易发生ECC Fail，所以我们要提前监测出比较危险的块(Dangerous Block)，防止在某次读取数据时直接丢失数据，因此，亟待一种改进的技术来解决现有技术中所存在的这一问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种动态NandFlash危险块筛选的方法，在Nand的使用过程中通过读写辨别出危险块的存在，基于该筛选的结果，NandFlash存储器的使用者可以采取不同的应对方案，规避使用危险块带来的影响，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种动态NandFlash危险块筛选的方法，包括以下步骤：

步骤一：在NandFlash使用过程中使用默认电压出现ECC Fail；

步骤二：使用厂商提供的读取电压表，并看出错的页在每个读取电压表的条件下读取时的Error Bit，如果在每个读取电压表的条件下Error Bit都大于阈值T，那么就把这个块标为危险块；

步骤三：只要块中有一个页经过所有的读取电压表的Error Bit都大于阈值T，就说明该块为危险块，进行标注，并进行下一个块的筛选；

步骤四：若块中所有页不需要经过所有的读取电压表就可以把Error Bit降低到阈值T以下则认为是正常的块。

优选的，所述步骤一中ECC Fail为发生数据丢失。

优选的，所述步骤二中Error Bit为错误位。

优选的，所述步骤二中Error Bit阈值T根据ECC纠错能力设置，所述Error Bit阈值T为解码极限的85%。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：

本发明充分考虑了环境温度、磨损次数、Endurance、Error Bit阈值等因素影响，可以筛选出在使用过程中导致NandFlash内特性不佳的危险块。用户把经过筛选的危险块的数据读出，放到正常块中，并把这个危险块避过不再使用，避免因为下次使用了危险块导致一系列不稳定的问题出现，提升了产品的稳定性。

附图说明

图1为本发明流程示意图。

具体实施方式