[发明专利]一种等离子体刻蚀辅助激光加工碳化硅的方法在审
| 申请号： | 201910793890.9 | 申请日： | 2019-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN110526205A | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 方续东;吴晨;蒋庄德;前田龙太郎 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 61215 西安智大知识产权代理事务所 | 代理人： | 贺建斌<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种等离子体刻蚀辅助激光加工碳化硅的方法，先利用飞秒激光对材料的辐照烧蚀作用，实现碳化硅的粗加工快速去除，随后用氢氟酸和硝酸混合溶液去除加工表面的杂质，再进行等离子体刻蚀精细加工，得到预期的微纳结构；本发明实现了碳化硅的高效高质量材料去除刻蚀，具有加工效率高，成本低，加工表面质量好等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 等离子体刻蚀 加工表面 去除 硝酸混合溶液 高质量材料 辐照 飞秒激光 辅助激光 加工效率 精细加工 快速去除 微纳结构 氢氟酸 预期的 刻蚀 烧蚀 加工 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体刻蚀辅助激光加工碳化硅的方法，其特征在于：先利用飞秒激光对材料的辐照烧蚀作用，实现碳化硅的粗加工快速去除，随后用氢氟酸和硝酸混合溶液去除加工表面的杂质，再进行等离子体刻蚀精细加工，得到预期的微纳结构。/n
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