[发明专利]一种高压半导体设备保护用快速熔断器在审
| 申请号： | 201910792997.1 | 申请日： | 2019-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN112397360A | 公开（公告）日： | 2021-02-23 |
| 发明（设计）人： | 程瑜;屈智云;郭婧怡;顾子涵 | 申请（专利权）人： | 赫森电气（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01H85/042 | 分类号： | H01H85/042;H01H85/05;H01H85/10;H01H85/47 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214171 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高压半导体设备保护用快速熔断器，并采用一个整体的方案，可替代目前高电压设备保护采用多个熔断器串联的方式，熔断器总长度达到1000mm以上，包括安装架、熔管、端盖、熔体、灭弧介质、熔体支架安装轴、熔体支架安装轴固定套、熔体支架、支架固定卡子、灭弧垫和导电触头。由于在熔断器熔管的内腔设置了一个熔体支架安装轴，并在安装轴上安装了多个熔体支架，可使熔体在熔管内沿长度方向均匀分布，又可以在额定电流要求提高，所需要排布的熔体数量增加时，不需要增大熔管直径，使熔体在熔体支架上从内到外多层排布，使额定电流最大可达2000A以上、额定电压达到10000VDC以上，分断能力达到30kA，可用来保护变频器、IGBT、高压电池组以及其它大型半导体设备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 半导体设备 保护 快速 熔断器 | ||
【主权项】：
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