[发明专利]硅片反射率测量方法及其测量装置在审
| 申请号： | 201910791330.X | 申请日： | 2019-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN110514627A | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 陈全胜;唐旱波;刘尧平;王燕;杜小龙 | 申请（专利权）人： | 松山湖材料实验室 |
| 主分类号： | G01N21/55 | 分类号： | G01N21/55 |
| 代理公司： | 44218 深圳市千纳专利代理有限公司 | 代理人： | 刘晓敏<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 523000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅片反射率测量方法，其包括以下步骤：(1)使用具有特定光谱的光源均匀的照射到硅片样品的表面；(2)通过光学镜头将硅片样品表面反射的光聚焦到光电探测器上；(3)光电探测器接收到的光信号转换为电信号，并输出结果；(4)将输出结果与标准样品的测试结果进行比对得出待测硅片样品的反射率。本发明还公开了一种硅片反射率测量装置，整体结构设计合理，能精确、快速测量出硅片反射率，避免主观判断的差异性，速度快、精度高、重复性高，可以对大面积硅片反射率进行测量，实现批量化检量，适用范围广，成本较低，利于广泛推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片样品 反射率 硅片 光电探测器 输出结果 反射率测量装置 整体结构设计 大面积硅片 反射率测量 光信号转换 标准样品 表面反射 光学镜头 快速测量 主观判断 差异性 光聚焦 批量化 比对 光谱 光源 照射 测量 | ||
【主权项】：
1.一种硅片反射率测量方法，其特征在于：其包括以下步骤：/n(1)使用具有特定光谱的光源均匀的照射到硅片样品的表面；/n(2)通过光学镜头将硅片样品表面反射的光聚焦到光电探测器上；/n(3)光电探测器接收到的光信号转换为电信号，并输出结果；/n(4)将输出结果与标准样品的测试结果进行比对计算得出待测硅片样品的反射率。/n
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