[发明专利]硅片反射率测量方法及其测量装置

权利要求书

1.一种硅片反射率测量方法，其特征在于：其包括以下步骤：

(1)使用具有特定光谱的光源均匀的照射到硅片样品的表面；

(2)通过光学镜头将硅片样品表面反射的光聚焦到光电探测器上；

(3)光电探测器接收到的光信号转换为电信号，并输出结果；

(4)将输出结果与标准样品的测试结果进行比对计算得出待测硅片样品的反射率。

2.根据权利要求1所述的硅片反射率测量方法，其特征在于：所述光源为补偿了光电探测器光谱响应度后的光源，所述光源的特定光谱为400-500nm、500-600nm、600-700nm、700-800nm、800-900nm和900-1100nm,这六个波长范围实际测试的总辐照度的百分比与理想光谱辐照分布的百分比的比率都在0.4～2.0之间；所述的理想光源的光谱与所使用的光电探测器响应度的积为太阳光标准AM1.5光谱乘以一个常数。

3.根据权利要求1或2所述的硅片反射率测量方法，其特征在于：所述的光电探测器包括CCD或CMOS；所述光源由LED、氙灯和卤素灯中一种或多种组合而成。

4.根据权利要求1所述的硅片反射率测量方法，其特征在于：所述硅片样品为经原始切割后、制绒后、抛光后、扩散后、镀膜后、丝网印刷后的硅片、太阳能电池片成品或使用硅片制成的其他产品。

5.根据权利要求1所述的硅片反射率测量方法，其特征在于：所述步骤(4)采用以下公式进行计算：R＝R0/I0*I+b；

其中R为硅片样品的反射率，R0为标准样品的反射率，I0为标准样品测量后的光生电流，I为待测样品测量后的光生电流，b为修正因子。

6.根据权利要求1所述的硅片反射率测量方法，其特征在于：所述步骤(3)中的输出结果为灰度值，其灰度值与光电电流的大小成正比。

7.根据权利要求6所述的硅片反射率测量方法，其特征在于：所述步骤(4)采用以下公式进行计算：R＝R0/H0*H+b；

其中R为硅片样品的反射率，R0为标准样品的反射率，H0为标准样品测量后的灰度值，H为待测样品测量后的灰度值，b为修正因子。

8.一种硅片反射率测量装置，其特征在于，其包括

样品台，用于放置待测硅片样品；

光源模块，用于为放置在样品台上的硅片样品提供均匀的具有特定光谱的光源；

光学镜头模块，用于将经过硅片样品反射的光进行汇聚过滤掉非反射光；

数据采集模块，用于将经过光学镜头汇聚的光信号转化为电信号，并输出结果。

9.根据权利要求8所述的硅片反射率测量装置，其特征在于：其还包括数据分析运算模块，用于将数据采集模块的输出结果与标准样品的测试结果进行比对得出硅片样品的反射率。

10.根据权利要求8所述的硅片反射率测量装置，其特征在于：所述光源模块为补偿了光电探测器光谱响应后的太阳光模拟光源，所述数据采集模块为光电探测器，该光电探测器为单一的或阵列的排布，所述光电探测器为CCD或CMOS。