[发明专利]一种过渡金属硫族化合物复合光纤材料的制备方法有效
| 申请号： | 201910772548.0 | 申请日： | 2019-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN110568546B | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 刘开辉;左勇刚;于文韬;刘灿;梁晶 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | G02B6/02 | 分类号： | G02B6/02;C23C16/30;C03C25/223;C03C25/106;C03C25/42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种过渡金属硫族化合物复合光纤材料的制备方法，所述方法包括如下步骤：将硫族材料放置于管式炉的第一温区，过渡金属源与促进剂的混合物置于所述管式炉的第二温区，光纤置于所述管式炉的第三温区；控制所述第一温区、第二温区和第三温区分别升温至105‑180℃、550‑650℃和780‑850℃，于所述光纤内壁面上形成所述过渡金属硫族化合物。该方法具有成本低，制备方法简单，过渡金属硫族化合物层数可控的特点。制备出的过渡金属硫族化合物复合光纤在光通讯，传感和新型光器件领域具有潜在的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 过渡 金属 化合物 复合 光纤 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种过渡金属硫族化合物复合光纤材料的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：/n(一)将硫族材料放置于管式炉的第一温区，过渡金属源与促进剂的混合物置于所述管式炉的第二温区，光纤置于所述管式炉的第三温区；/n(二)对所述管式炉抽真空至所述管式炉内气压低于0.1Pa后，通入保护性气体，维持所述管式炉内压强至50-300Pa；/n(三)控制所述第一温区、第二温区和第三温区分别升温至105-180℃、550-650℃和780-850℃，稳定1-10min后，开始进入生长阶段，生长时间为30min-3h；/n(四)生长结束后，关闭加热电源，维持所述保护性气体流量不变，冷却至室温，得到过渡金属硫族化合物复合光纤材料；/n其中，所述过渡金属硫族化合物形成于所述光纤内壁面上。/n
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