[发明专利]用于处理腔室的涂覆材料在审
申请号: | 201910765969.0 | 申请日: | 2019-08-19 |
公开(公告)号: | CN110846636A | 公开(公告)日: | 2020-02-28 |
发明(设计)人: | 元泰景;崔寿永;崔金贤;崔毅;古田学 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | C23C16/34 | 分类号: | C23C16/34;C23C16/455 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本文描述的实施方式涉及控制沉积在大基板上的SiN膜的均匀性的方法。当通过向腔室施加射频(RF)功率来激励所述腔室中的前驱物气体或气体混合物时,流过等离子体的RF电流在电极间间隙中产生驻波效应(SWE)。当基板或电极尺寸接近RF波长时,SWE变得显著。工艺参数,诸如工艺功率、工艺压力、电极间距和气体流量比都会影响所述SWE。这些参数可以更改,以便最小化SWE问题和实现可接受的厚度和性质均匀性。在一些实施方式中,在实现各种等离子体密度的同时在各种工艺功率范围下、在各种工艺压力范围下、在各种气体流率下在大基板上方沉积介电膜的方法将用于减小所述SWE,以产生更大等离子体稳定性。 | ||
搜索关键词: | 用于 处理 材料 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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