[发明专利]用于处理腔室的涂覆材料在审

专利信息
申请号: 201910765969.0 申请日: 2019-08-19
公开(公告)号: CN110846636A 公开(公告)日: 2020-02-28
发明(设计)人: 元泰景;崔寿永;崔金贤;崔毅;古田学 申请(专利权)人: 应用材料公司
主分类号: C23C16/34 分类号: C23C16/34;C23C16/455
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 本文描述的实施方式涉及控制沉积在大基板上的SiN膜的均匀性的方法。当通过向腔室施加射频(RF)功率来激励所述腔室中的前驱物气体或气体混合物时,流过等离子体的RF电流在电极间间隙中产生驻波效应(SWE)。当基板或电极尺寸接近RF波长时,SWE变得显著。工艺参数,诸如工艺功率、工艺压力、电极间距和气体流量比都会影响所述SWE。这些参数可以更改,以便最小化SWE问题和实现可接受的厚度和性质均匀性。在一些实施方式中,在实现各种等离子体密度的同时在各种工艺功率范围下、在各种工艺压力范围下、在各种气体流率下在大基板上方沉积介电膜的方法将用于减小所述SWE,以产生更大等离子体稳定性。
搜索关键词: 用于 处理 材料
【主权项】:
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