[发明专利]一种MOSFET雪崩测试电路在审
| 申请号： | 201910765153.8 | 申请日： | 2019-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN110412443A | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 杨炜光 | 申请（专利权）人： | 西安易恩电气科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 西安毅联专利代理有限公司 61225 | 代理人： | 师玮 |
| 地址： | 710000 陕西省西安市高陵区融*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种MOSFET雪崩测试电路，包括：储能电感、主电源、陪测器件Q1、电压检测装置和电流互感器，主电源的正极依次串接储能电感、被测场效应管后与主电源的负极连接，陪测器件Q1并联在被测场效应管的两端；被测场效应管为MOSFET；电流互感器连接在储能电感和被测场效应管之间；电压检测装置连接在被测场效应管的G极和S极之间；陪测器件Q1用于雪崩耐量动态与静态测试之间的切换，陪测器件Q1的额定电压远大于当前被测场效应管的电压；测试场效应管在动态下雪崩耐量，则陪测器件Q1处于反偏状态，被测场效应管处于开通状态；测试场效应管在静态下的雪崩耐量，被测场效应管处于反偏状态，陪测器件Q1处于开通状态。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应管 储能电感 雪崩耐量 主电源 电压检测装置 电流互感器 测试电路 开通状态 反偏 雪崩 正极 测试 负极连接 静态测试 依次串接 | ||
【主权项】：
1.一种MOSFET雪崩测试电路，其特征在于，包括：储能电感、主电源、陪测器件Q1、电压检测装置和电流互感器，所述主电源的正极依次串接储能电感、被测场效应管后与主电源的负极连接，所述陪测器件Q1并联在被测场效应管的两端；所述被测场效应管为MOSFET；所述电流互感器连接在储能电感和被测场效应管之间；所述电压检测装置连接在被测场效应管的G极和S极之间；所述陪测器件Q1用于雪崩耐量动态与静态测试之间的切换，所述陪测器件Q1的额定电压远大于当前被测场效应管的电压；测试场效应管在动态下雪崩耐量，则陪测器件Q1处于反偏状态，被测场效应管处于开通状态；测试场效应管在静态下的雪崩耐量，被测场效应管处于反偏状态，陪测器件Q1处于开通状态。
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