[发明专利]一种连续式硅碳负极动态CVD烧结炉有效

申请号：	201910758826.7	申请日：	2019-08-16
公开（公告）号：	CN110500879B	公开（公告）日：	2021-05-25
发明（设计）人：	王建业;曾帅强;龙纯;谢礼飞;宋晓峰;何易鹏	申请（专利权）人：	中国电子科技集团公司第四十八研究所
主分类号：	H01L21/28	分类号：	H01L21/28
代理公司：	湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008	代理人：	周长清;戴玲
地址：	410111 湖南***	国省代码：	湖南;43
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摘要：	本发明公开了连续式硅碳负极动态CVD烧结炉，包括安装平台、螺旋进料器、炉头罩、炉管和炉尾罩，炉管头端位于炉头罩内且尾端位于炉尾罩内，螺旋进料器与炉头罩密封对接，炉尾罩上设有出料口，炉管头端于炉头罩之外的部分设有第一密封法兰，第一密封法兰与炉头罩之间设有第一波纹管，第一密封法兰与第一波纹管之间密封连接，二者连接处的外周套有第一抽气罩，炉管尾端于炉尾罩之外的部分设有第二密封法兰，第二密封法兰与炉尾罩之间设有第二波纹管，第二密封法兰与第二波纹管之间密封连接，二者连接处的外周套有第二抽气罩。本发明采用抽气罩将可能泄露的气体及时抽走，防止危险气体泄漏引发爆炸危险，整体密封性好，安全可靠。
搜索关键词：	一种连续式硅碳负极动态 cvd 烧结炉
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【主权项】：

1.一种连续式硅碳负极动态CVD烧结炉，其特征在于：包括安装平台(1)、螺旋进料器(2)、炉头罩(3)、炉管(4)和炉尾罩(5)，所述炉管(4)可转动的安装在安装平台(1)上，所述炉管(4)的头端位于炉头罩(3)内且尾端位于炉尾罩(5)内，所述螺旋进料器(2)与炉头罩(3)密封对接，且螺旋进料器(2)的螺旋轴(6)穿过炉头罩(3)与炉管(4)对接，所述炉尾罩(5)上设有出料口，所述炉管(4)头端于炉头罩(3)之外的部分设有第一密封法兰(7)，所述第一密封法兰(7)与炉头罩(3)之间设有第一波纹管(8)，所述第一密封法兰(7)与第一波纹管(8)之间密封连接，且二者连接处的外周套有第一抽气罩(9)，所述炉管(4)尾端于炉尾罩(5)之外的部分设有第二密封法兰(10)，所述第二密封法兰(10)与炉尾罩(5)之间设有第二波纹管(11)，所述第二密封法兰(10)与第二波纹管(11)之间密封连接，且二者连接处的外周套有第二抽气罩(12)。/n

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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