[发明专利]一种连续式硅碳负极动态CVD烧结炉有效
| 申请号: | 201910758826.7 | 申请日: | 2019-08-16 |
| 公开(公告)号: | CN110500879B | 公开(公告)日: | 2021-05-25 |
| 发明(设计)人: | 王建业;曾帅强;龙纯;谢礼飞;宋晓峰;何易鹏 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 |
| 主分类号: | H01L21/28 | 分类号: | H01L21/28 |
| 代理公司: | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人: | 周长清;戴玲 |
| 地址: | 410111 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 连续 式硅碳 负极 动态 cvd 烧结炉 | ||
1.一种连续式硅碳负极动态CVD烧结炉,其特征在于:包括安装平台(1)、螺旋进料器(2)、炉头罩(3)、炉管(4)和炉尾罩(5),所述炉管(4)可转动的安装在安装平台(1)上,所述炉管(4)的头端位于炉头罩(3)内且尾端位于炉尾罩(5)内,所述螺旋进料器(2)与炉头罩(3)密封对接,且螺旋进料器(2)的螺旋轴(6)穿过炉头罩(3)与炉管(4)对接,所述炉尾罩(5)上设有出料口,所述炉管(4)头端于炉头罩(3)之外的部分设有第一密封法兰(7),所述第一密封法兰(7)与炉头罩(3)之间设有第一波纹管(8),所述第一密封法兰(7)与第一波纹管(8)之间密封连接,且二者连接处的外周套有第一抽气罩(9),所述炉管(4)尾端于炉尾罩(5)之外的部分设有第二密封法兰(10),所述第二密封法兰(10)与炉尾罩(5)之间设有第二波纹管(11),所述第二密封法兰(10)与第二波纹管(11)之间密封连接,且二者连接处的外周套有第二抽气罩(12),所述炉管(4)的头端设有一锥形内胆(44),所述炉管(4)的入口为锥形内胆(44)的入口,所述炉管(4)与锥形内胆(44)的外壁之间设有隔热棉(45),所述安装平台(1)上设有可敲击炉管(4)的炉管气锤(46);所述炉管(4)的中间部分套有保温套(47),所述炉管(4)下端与保温套(47)的间隙内设有加热装置(48)。
2.根据权利要求1所述的连续式硅碳负极动态CVD烧结炉,其特征在于:所述第一抽气罩(9)的圆周方向设有一个主抽气管(13)和多个间隔的支抽气管(14),各支抽气管(14)均与主抽气管(13)连通,所述第二抽气罩(12)的圆周方向设有一个主抽气管(13)和多个间隔的支抽气管(14),各支抽气管(14)均与主抽气管(13)连通。
3.根据权利要求1所述的连续式硅碳负极动态CVD烧结炉,其特征在于:所述螺旋进料器(2)的上游设有上料装置,所述上料装置包括上料仓(15)和进料缓冲仓(16),所述进料缓冲仓(16)设有进料口、出料口、进气口和出气口,所述进料缓冲仓(16)的进料口与上料仓(15)对接,且出料口与螺旋进料器(2)的入口密封对接。
4.根据权利要求3所述的连续式硅碳负极动态CVD烧结炉,其特征在于:所述上料装置还包括称重仓(17),所述称重仓(17)的底部设有称重器(18),所述称重仓(17)通过上料管(19)与上料仓(15)连接;所述炉尾罩(5)设有主进气口(20),所述主进气口(20)连接一进气管(21),所述进气管(21)位于炉管(4)内,所述主进气口(20)设有流量计(22)。
5.根据权利要求4所述的连续式硅碳负极动态CVD烧结炉,其特征在于:所述炉尾罩(5)的下游设有出料缓冲仓(23),所述出料缓冲仓(23)设有进料口、出料口、进气口和出气口,所述进料口与炉尾罩(5)的出料口对接;所述进料缓冲仓(16)、称重仓(17)和出料缓冲仓(23)的外侧对应设有一用于敲打各仓体的仓体气锤(24)。
6.根据权利要求1至5任意一项所述的连续式硅碳负极动态CVD烧结炉,其特征在于:所述螺旋进料器(2)内设有防止堵料的破拱轴(25),所述破拱轴(25)设有叶片(26),所述破拱轴(25)连接一驱动机构(27)。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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