[发明专利]高电子迁移率晶体管元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201910752030.0 | 申请日： | 2019-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN111146275B | 公开（公告）日： | 2023-09-08 |
| 发明（设计）人： | 陈智伟;温文莹 | 申请（专利权）人： | 新唐科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 薛平;谷敬丽 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种高电子迁移率晶体管元件及其制造方法。高电子迁移率晶体管HEMT元件包括通道层、阻障层、第一栅极、第一漏极与第一源极。通道层设置于衬底上。通道层在HEMT元件的第一区内的表面包括极性面与非极性面。阻障层共形地设置于通道层上。第一栅极设置于阻障层上，且位于第一区内。第一漏极与第一源极设置于第一区内，且分别位于第一栅极的相对两侧。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 迁移率 晶体管 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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