[发明专利]一种具有场限环结构的RESURF LDMOS器件在审
| 申请号： | 201910746926.8 | 申请日： | 2019-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN112349764A | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 秦玉香;张冰莹;陈亮 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙) 12214 | 代理人： | 王秀奎 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有场限环结构的RESURF LDMOS器件，包括P型半导体衬底，在P型半导体衬底上设置深N阱和深P阱，在深P阱中设置P阱，源端N+区和源端P+区设置在P阱中且位于器件的表面；深N阱的上端面设置场氧化层，场氧化层的一端与漏端N+区相连，场氧化层的另一端设置栅氧化层和多晶硅栅；多晶硅栅设置在栅氧化层之上，两者共同延伸至器件表面的源端N+区；在深N阱中设置N阱和P TOP区，漏端N+区设置在N阱中且位于器件的表面；P TOP区由P型条和P型场限环组成。该器件可以降低结表面曲率效应引起的大电场，提高器件的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 场限环 结构 resurf ldmos 器件 | ||
【主权项】：
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