[发明专利]一种用晶体硅金刚线切割废料制备微米级二氧化硅的方法有效
| 申请号： | 201910738681.4 | 申请日： | 2019-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN110282634B | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 邢鹏飞;孙钰杰;李大纲;都兴红;庄艳歆;冯忠宝;闫姝 | 申请（专利权）人： | 东北大学 |
| 主分类号： | C01B33/18 | 分类号： | C01B33/18 |
| 代理公司： | 沈阳东大知识产权代理有限公司 21109 | 代理人： | 梁焱 |
| 地址： | 110819 辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种用晶体硅金刚线切割废料制备微米级二氧化硅的方法，按以下步骤进行：(1)将晶体硅金刚线切割废料破碎磨细制成切割废料粉；(2)将切割废料粉酸洗、水洗后固液分离，获得含水硅粉；(3)将含水硅粉在650～3200℃冶炼，烟气经除尘装置收集粉尘后，空冷至常温。本发明的方法解决了切割废料大量堆放污染环境的问题，由于切割废料价格低廉，直接降低了生产微米级二氧化硅的成本，减少了制备时间，提高了生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 金刚 切割 废料 制备 微米 二氧化硅 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用晶体硅金刚线切割废料制备微米级二氧化硅的方法，其特征在于按以下步骤进行：(1)将晶体硅金刚线切割废料破碎磨细至粒径200目以下，制成切割废料粉；(2)将切割废料粉酸洗去除杂质，然后水洗去除酸液，固液分离获得的固相为含水硅粉；(3)将含水硅粉在650～3200℃冶炼，含水硅粉中的Si被氧化生成SiO2；并形成粉尘进入烟气中；烟气经除尘装置收集粉尘后，将粉尘空冷至常温，获得微米级二氧化硅。
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