[发明专利]包括自旋轨道转矩线的半导体器件在审
| 申请号： | 201910733076.8 | 申请日： | 2019-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN111261771A | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 朴正宪;金晥均;李俊明;郑峻昊;皮雄焕 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/06;H01L43/14;H01L27/22 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 屈玉华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 半导体器件可以包括在衬底上的第一存储单元和在衬底上并且邻近第一存储单元的第二存储单元。第一存储单元可以包括：第一参考层；第一存储层；在第一参考层和第一存储层之间的第一隧道层；以及与第一存储层接触的第一自旋轨道转矩(SOT)线。第二存储单元可以包括：第二参考层；第二存储层；在第二参考层和第二存储层之间的第二隧道层；邻近第二存储层的第二SOT线；以及在第二存储层和第二SOT线之间的增强层。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 自旋 轨道 转矩 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910733076.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：层叠半导体器件及其测试方法
- 下一篇：半导体器件
