[发明专利]高压沟槽型功率半导体器件及制备方法

摘要

本发明涉及一种功率半导体及制备方法，尤其是一种高压沟槽型功率半导体器件及制备方法，属于功率半导体器件的技术领域。对半导体衬底刻蚀得到较宽的元胞沟槽，对填充在元胞沟槽内的衬底导电多晶硅体进行回刻后，能在元胞沟槽内得到沟槽内注入定位孔，在沟槽内注入定位孔的外圈为衬底导电多晶硅体，利用沟槽内注入定位孔能方便同时得到衬底沟槽第二导电类型掺杂区以及衬底第二导电类型基区，衬底沟槽第二导电类型掺杂区位于元胞沟槽的槽底的正下方并与元胞沟槽的槽底接触，从而能降低元胞沟槽槽底绝缘栅氧化层的电场，提高衬底绝缘栅氧化层的可靠性，与现有工艺兼容，提高工艺流程的可控性。

主权项

1.一种高压沟槽型功率半导体器件，包括具有第一导电类型的半导体衬底以及设置于所述半导体衬底中心区的元胞区，所述元胞区内的元胞采用沟槽结构；所述元胞包括位于半导体衬底内的元胞沟槽；其特征是：在所述功率半导体器件的截面上，在元胞沟槽槽底的正下方设置衬底沟槽第二导电类型掺杂区，所述衬底沟槽第二导电类型掺杂区与元胞沟槽的槽底接触；在元胞沟槽的两侧设置衬底第二导电类型基区，衬底第二导电类型基区位于元胞沟槽槽底的上方且衬底第二导电类型基区与元胞沟槽的外侧壁接触，在衬底第二导电类型基区内设置衬底第一导电类型源区，所述衬底第一导电类型源区与元胞沟槽的外侧壁接触；在元胞沟槽内填充有衬底导电多晶硅体以及衬底绝缘介质层，所述衬底绝缘介质层还覆盖在半导体衬底上，衬底导电多晶硅体通过衬底绝缘栅氧化层与元胞沟槽的侧壁以及底壁绝缘隔离；在半导体衬底上方还设置衬底金属层，所述衬底金属层支撑在衬底绝缘介质层上，衬底金属层通过衬底绝缘介质层与衬底导电多晶硅体绝缘隔离，且衬底金属层与衬底第一导电类型源区以及衬底第二导电类型基区欧姆接触。