[发明专利]一种颗粒物清除效率的快速评价方法

摘要

本发明公开了一种颗粒物清除效率的快速评价方法，对半导体制造中化学机械抛光处理后的晶圆表面颗粒物的清除效率进行评价，包括：切割处理晶片得到晶片样品，进行沾染实验，获得待清洗的晶样；进行形貌分析，获得清洗前三维形貌图像；用清洗液进行清洗实验，得到清洗后的晶样；获得清洗后三维形貌图像；将得到的清洗前/后三维形貌图像分别在垂直方向上截取高度H处的横截面，对应得到晶片表面清洗前/后颗粒污染物状况的图像，对图像进行分析处理，得到清洗前/后颗粒污染物数量或面积，计算清洗效率，其中高度H大于晶片样品表面的平均粗糙度且小于颗粒污染物平均粒径的一半。本发明的评价方法能实现快速、低成本的清除效率的评价。

主权项

1.一种颗粒物清除效率的快速评价方法，其特征在于，包括以下步骤：1)切割处理晶片得到晶片样品，在晶片样品表面通过已知粒径的颗粒污染物进行沾染实验，获得待清洗的晶样；2)使用形貌表征仪器对待清洗的晶样表面进行形貌分析，获得清洗前三维形貌图像；3)在待清洗的晶样表面用清洗液进行清洗实验，得到清洗后的晶样；4)使用形貌表征仪器对清洗后的晶样再次进行形貌分析，获得清洗后三维形貌图像；5)对清洗前三维形貌图像和清洗后三维形貌图像进行处理，处理的方式为将得到的清洗前/后三维形貌图像分别在垂直方向上截取高度H处的横截面，对应得到晶片表面清洗前/后颗粒污染物状况的图像，然后对图像进行数据处理，得到图像区域内清洗前产后颗粒污染物数量或面积；其中，所述高度H大于晶片样品表面的平均粗糙度且小于颗粒污染物平均粒径的一半；6)通过以下公式进行清除效率PRE的计算：