[发明专利]新型纳米结构薄膜太阳能电池及其制备方法有效
申请号: | 201910716432.5 | 申请日: | 2019-08-05 |
公开(公告)号: | CN110416336B | 公开(公告)日: | 2021-08-20 |
发明(设计)人: | 单丹;周寿斌;唐明军;杨瑞洪;曹蕴清;钱松;陈雪圣 | 申请(专利权)人: | 扬州工业职业技术学院 |
主分类号: | H01L31/0445 | 分类号: | H01L31/0445;H01L31/072;H01L31/18 |
代理公司: | 南京乐羽知行专利代理事务所(普通合伙) 32326 | 代理人: | 李培 |
地址: | 225127 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开的一种新型纳米结构薄膜太阳能电池,包括从下至上依次叠加的石英或玻璃衬底、Al电极、磷掺杂非晶硅薄膜、碳化硅薄膜界面层、硼掺杂纳米硅薄膜、石墨烯层以及Au电极。利用谐振腔机制增强p型纳米硅/n型非晶硅异质结中的光吸收,从而提高器件光电性能。本发明所提供的石墨烯/p型纳米硅/n型非晶硅异质结结构的平面薄膜太阳能电池与传统的硅基薄膜太阳能电池相比,生产成本可节约30%。该电池的设计制备工艺简单、材料消耗低,在生产过程中避免了高温烧结处理,大大降低了硅基薄膜太阳能电池的生产能耗,可有效地降低传统硅基薄膜太阳能电池的生产成本。 | ||
搜索关键词: | 新型 纳米 结构 薄膜 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种平面薄膜太阳能电池,其特征在于包括从下至上依次叠加的石英或玻璃衬底、Al电极、磷掺杂非晶硅薄膜、碳化硅薄膜界面层、硼掺杂纳米硅薄膜、石墨烯层以及Au电极;所述石墨烯层和Al电极之间的磷掺杂非晶硅薄膜、硼掺杂纳米硅薄膜构成一个纳米谐振腔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的