[发明专利]超大长径比微通道板通道内壁制备功能膜层的方法

摘要

本发明提供一种超大长径比微通道板通道内壁制备功能膜层的方法，通过提供新型设计的沉积用反应腔，结合充分扩散的工艺，在超大长径比微通道板基底内壁沉积厚度均匀的具有高二次电子发射系数、高介电常数的单一功能膜层或者复合功能膜层以提升微通道板增益性能的同时，提高微通道板电荷存储能力，以此提高微通道板在瞬态电子成像与探测系统中应用时的动态范围。

主权项

1.一种超大长径比微通道板通道内壁制备功能膜层的方法，其特征在于，包括以下步骤：/n(1)将清洗后的洁净微通道板装入夹具并放置于沉积设备反应腔中，抽真空并进行氮气吹扫后，加热升温至150-300℃，然后保温一定时间；其实所述的反应腔包括一个用于放置微通道板的腔体，腔体上下两侧分别设置对应的上匀气盘和下匀气盘，左右两侧分别设置惰性气体进气管路和抽气管路，上匀气盘和下匀气盘上分布有密集的孔使得前驱体反应物进入腔体内形成上下两个气帘，同时到达不同位置处的微通道板表面；/n(2)沉积第一膜层/n通入第一种前驱体，具体工艺包括：停止抽气，同时关闭氮气吹扫，保持通入第一种前驱体2-20s，前驱体通过上下两个匀气盘均匀进入到反应腔中，将前驱体封闭在反应腔中，等待10s-1min后，开始抽气，并将氮气吹扫流量设置为1000sccm，吹扫时间为40s-5min；/n通入第二种前驱体H₂O，具体工艺包括：停止抽气，同时关闭氮气吹扫，保持通入H₂O前驱体2-20s，前驱体通过上下两个匀气盘均匀进入到反应腔中，将前驱体封闭在反应腔中，等待10s-1min后，开始抽气，并将氮气吹扫流量设置为1000sccm，吹扫时间为40s-5min；/n交替通入第一种前驱体与第二种前驱体，交替多次完成第一膜层沉积；/n(3)沉积第二膜层/n通入第三种前驱体，具体工艺包括：停止抽气，同时关闭氮气吹扫，保持通入第三种前驱体2-20s，前驱体通过上下两个匀气盘均匀进入到反应腔中，将前驱体封闭在反应腔中，等待10s-1min后，开始抽气，并将氮气吹扫流量设置为1000sccm，吹扫时间为40s-5min；/n通入第二种前驱体H₂O，具体工艺包括：停止抽气，同时关闭氮气吹扫，保持通入H₂O前驱体2-20s，前驱体通过上下两个匀气盘均匀进入到反应腔中，将前驱体封闭在反应腔中，等待10s-1min后，开始抽气，并将氮气吹扫流量设置为1000sccm，吹扫时间为40s-5min；/n交替通入第三种前驱体与第二种前驱体，交替多次完成第二膜层沉积。/n