[发明专利]一种基于Fano共振的温度传感器在审

专利信息
申请号: 201910706699.6 申请日: 2019-08-01
公开(公告)号: CN110261000A 公开(公告)日: 2019-09-20
发明(设计)人: 朱君;王各 申请(专利权)人: 广西师范大学
主分类号: G01K11/00 分类号: G01K11/00
代理公司: 桂林市华杰专利商标事务所有限责任公司 45112 代理人: 刘梅芳
地址: 541004 广西壮*** 国省代码: 广西;45
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摘要: 发明公开了一种基于Fano共振的温度传感器,其特征是,包括自下而上顺序叠接的基底层和金属层,所述的金属层中设有互不不相通的第一谐振腔和第二谐振腔,其中,第一谐振腔为一个矩形腔与外形呈半圆形状的腔体合为一体的腔体,外形呈半圆形状的腔体位于矩形腔的中部,第二谐振腔为外形呈“T”形状的谐振腔,第一谐振腔和第二谐振腔中填充有感温介质。这种表面等离子传感器不仅体积小、响应快、制备过程简单、成本低,而且还能提高灵敏度和Q值、减少Fano共振谱线的半高全宽,从而实现生物、医学检测领域的纳米级传感。
搜索关键词: 谐振腔 腔体 温度传感器 半圆形状 金属层 矩形腔 共振 表面等离子 共振谱线 合为一体 医学检测 制备过程 不相通 基底层 灵敏度 纳米级 体积小 传感器 传感 叠接 填充 响应
【主权项】:
1.一种基于Fano共振的温度传感器,其特征是,包括自下而上顺序叠接的基底层和金属层,所述的金属层中设有互不不相通的第一谐振腔和第二谐振腔,其中,第一谐振腔为一个矩形腔与外形呈半圆形状的腔体合为一体的腔体,外形呈半圆形状的腔体位于矩形腔的中部,第二谐振腔为外形呈“T”形状的谐振腔,第一谐振腔和第二谐振腔中填充有感温介质。
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