[发明专利]一种晶体硅太阳能电池的硅基薄膜镀膜方法在审
| 申请号： | 201910705525.8 | 申请日： | 2019-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN110416071A | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 张鹤;王亨;许所昌;李翔;黎微明 | 申请（专利权）人： | 江苏微导纳米装备科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人： | 万婧;张莹 |
| 地址： | 214028 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种晶体硅太阳能电池的硅基薄膜镀膜方法，属于晶体硅太阳能电池领域，具体包括：将基底置于PEALD反应腔内，压力调整为30‑5000Pa，温度稳定在50‑500℃；向反应腔中通入硅源镀膜0.5‑10s；通入惰性气体吹扫1‑20s；通入等离子气体镀膜1‑20s，其中等离子体的功率50‑2000W；然后再用的惰性气体或N2净化吹扫。该方法实现厚度均匀、无绕镀的硅基薄膜且镀膜厚度可精确控制。 | ||
| 搜索关键词： | 镀膜 晶体硅太阳能电池 硅基薄膜 惰性气体 吹扫 等离子体 等离子气体 厚度均匀 温度稳定 压力调整 反应腔 硅源 基底 净化 | ||
【主权项】：
1.一种晶体硅太阳能电池的硅基薄膜镀膜方法，其特征在于，包括如下步骤:(1)将基底置于PEALD反应腔内，压力调整为30‑5000Pa，温度稳定在50‑500℃；(2)向反应腔中通入硅源，流量为50‑2000sccm，镀膜时间为0.5‑10s；(3)通入惰性气体，流量为50‑5000sccm，吹扫1‑20s；(4)通入流量为50‑5000sccm的等离子气体，镀膜时间为1‑20s，其中等离子体的功率50‑2000W；(5)采用步骤(3)的惰性气体净化吹扫，吹扫持续时间为1‑8s；(6)循环步骤(2)到(5)，直到达到目标次数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏微导纳米装备科技有限公司，未经江苏微导纳米装备科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910705525.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体器件和制造
- 下一篇：改善离子注入工艺中硅片在线颗粒的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
