[发明专利]一种面向弱故障的低电压SRAM测试方法有效
| 申请号： | 201910701404.6 | 申请日： | 2019-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN110570896B | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 蔡志匡;吕凯;刘世欢;王子轩;王昌强;郭宇锋;杨军 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学;南京邮电大学南通研究院有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/50 | 分类号： | G11C29/50;G11C11/413 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 王素琴 |
| 地址： | 226000 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种面向弱故障的低电压SRAM测试方法，基于弱故障敏化机制，整合存储单元弱故障、译码器字线弱故障和写驱动位线弱故障对应的测试元素，同时引入棋盘数据背景并配合连续读操作，设计出一种算法复杂度仅为12N的新型测试算法，通过电路实现和验证表明该测试方法对这三种弱故障的故障覆盖率较现有测试方法有所提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 面向 故障 电压 sram 测试 方法 | ||
【主权项】：
1.一种面向弱故障的低电压SRAM测试方法，其特征在于：所述测试方法步骤如下：/n步骤一：建立弱故障模型：选取了阵列电路、地址译码器电路和写驱动电路中三处敏感的位置进行了故障注入，并根据任意一点注入故障后能否正确实现相应的读写操作序列，提出了三种弱故障模型，分别为存储单元弱故障、译码器字线弱故障和写驱动位线弱故障；/n步骤二：March-CBD算法设计：为了增加算法的故障覆盖率，除了基于弱故障激活敏化机制整合三种弱故障测试元素之外，还引入了Checkerboard数据背景和连续读操作，推导出的March-CBD算法为：/n{↑wDrD，↑rD，↑wD’rD’，↑rD’，↓wDrD，↓rD，↓wD’rD’，↓rD’}/n其中D为Checkerboard数据背景；/n步骤三：基于March-CBD算法BIST电路设计：MBIST系统的关键模块有两个：BISTController和BIST Collar；/n步骤四：故障注入和验证：验证实例采用的是HSIM和VCS联合仿真方法。/n
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