[发明专利]一种面向弱故障的低电压SRAM测试方法

权利要求书

1.一种面向弱故障的低电压SRAM测试方法，其特征在于：所述测试方法步骤如下：

步骤一：建立弱故障模型：选取了阵列电路、地址译码器电路和写驱动电路中三处敏感的位置进行了故障注入，并根据任意一点注入故障后能否正确实现相应的读写操作序列，提出了三种弱故障模型，分别为存储单元弱故障、译码器字线弱故障和写驱动位线弱故障，存储单元弱故障，使用存储单元内的两个反相器的耦合臂之间的电阻R_a表示该故障，当R_a值小于临界电阻R_1critical时，该存储单元能正常读写，Q、QB虽然会存在一定的电压损耗且曲线不够平滑，但是依旧能在一个周期内达到逻辑值，当R_a值大于R_1critical，弱缺陷就会直接转变为强缺陷，存储单元的读写就会发生错误；译码器字线弱故障，使用译码器译出字线上的电阻R_d表示该故障，当R_d值小于临界电阻R_2critical时，存储单元能正常读写，Q、QB和WL虽然会存在一定的电压损耗且曲线不够平滑，但是依旧能达到想要的逻辑值，当R_d值大于R_2critical，弱缺陷就会直接转变为强缺陷，存储单元的读写就会发生错误；写驱动位线弱故障，使用写驱动电路的输出位线上电阻R_w表示该故障，当R_w值小于临界电阻R_3critical时，该存储单元能正常读写，Q、QB和BL/BLB虽然会存在一定的电压损耗且曲线不够平滑，但是依旧能达到想要的逻辑值，当R_w值大于R_3critical，弱缺陷就会直接转变为强缺陷，存储单元的读写发生错误；

步骤二：March-CBD算法设计：为了增加算法的故障覆盖率，除了基于弱故障激活敏化机制整合三种弱故障测试元素之外，还引入了Checkerboard数据背景和连续读操作，推导出的March-CBD算法为：

{↑wDrD，↑rD，↑wD’rD’，↑rD’，↓wDrD，↓rD，↓wD’rD’，↓rD’}

其中D为Checkerboard数据背景；

步骤三：基于March-CBD算法BIST电路设计：MBIST系统的关键模块有两个：BISTController和BIST Collar，BIST Controller，由四部分电路组成：基于算法的状态控制器、地址生成器、数据生成器和分析比较器，其中状态控制器、地址生成器和数据生成器共同组成基于算法的向量生成器，BIST Collar由旁路逻辑和SRAM电路组成；

步骤四：故障注入和验证：验证实例采用的是HSIM和VCS联合仿真方法。

2.如权利要求1所述的一种面向弱故障的低电压SRAM测试方法，其特征在于：所述Checkerboard数据背景的间隔性对一部分耦合故障能有良好的覆盖，并且相邻存储单元存储数据的不同会给弱故障带来更多的敏化压力，使得弱故障更容易被检测到；连续读操作，会使得位线电压越来越低，放电时间极慢，读取的操作会变慢，能够有效地敏化激活出具有隐蔽性的弱故障。