[发明专利]一种高势垒SiC JBS器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201910693031.2 | 申请日： | 2019-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN112310227A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 罗烨辉;周正东;李诚瞻 | 申请（专利权）人： | 株洲中车时代半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/328 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;康志梅 |
| 地址： | 412001 湖南省株洲市石峰*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高势垒SiC JBS器件及其制备方法，该器件包括由上至下设置的第一电极层、SiC衬底、N‑SiC外延层、第二电极层、介质层和PI层。本发明的SiC器件通过在外延层形成JBS结构和表层低浓度结构，提升了器件势垒高度，同时减小器件漏电特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高势垒 sic jbs 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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