[发明专利]一种BOD电路有效
| 申请号： | 201910679603.1 | 申请日： | 2019-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN110308317B | 公开（公告）日： | 2022-01-14 |
| 发明（设计）人： | 袁志勇 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G01R19/00 | 分类号： | G01R19/00;G01R19/165;G01R31/40 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种BOD电路，第三至第六PMOS管和第二、第三NMOS管；其中第三PMOS管的源极、第六PMOS管的源极共同连接电源电压；第三PMOS管的漏极与第四PMOS管的源极连接；第三、第四PMOS管的栅极相互连接；第四PMOS管的漏极与第五PMOS管的源极连接；第五PMOS管的栅极和漏极、第六PMOS管的栅极与第二NMOS管的漏极、栅极以及第三NMOS管的栅极相互连接；第六PMOS管的漏极与第三NMOS管的漏极连接；第二、第三NMOS管的源极共同接地；第六PMOS管的漏极与第三NMOS管的漏极之间为该BOD电路的信号输出端。本发明的BOD电路是在传统BOD电路的基础上作出改进，将传统BOD电路的基准电流产生电路和电流镜像电路进行合并，可以有效降低功耗并且减小占用面积，有利于提高产能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 bod 电路 | ||
【主权项】：
1.一种BOD电路，其特征在于，至少包括：第三至第六PMOS管和第二、第三NMOS管；其中所述第三PMOS管的源极、第六PMOS管的源极共同连接电源电压VPWR；所述第三PMOS管的漏极与第四PMOS管的源极连接；所述第三、第四PMOS管的栅极相互连接；所述第四PMOS管的漏极与所述第五PMOS管的源极连接；所述第五PMOS管的栅极和漏极、第六PMOS管的栅极与所述第二NMOS管的漏极、栅极以及所述第三NMOS管的栅极相互连接；所述第六PMOS管的漏极与所述第三NMOS管的漏极连接；所述第二、第三NMOS管的源极共同接地；所述第六PMOS管的漏极与所述第三NMOS管的漏极之间为该BOD电路的信号输出端。
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