[发明专利]一种BOD电路有效

专利信息
申请号: 201910679603.1 申请日: 2019-07-26
公开(公告)号: CN110308317B 公开(公告)日: 2022-01-14
发明(设计)人: 袁志勇 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: G01R19/00 分类号: G01R19/00;G01R19/165;G01R31/40
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 戴广志
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 bod 电路
【说明书】:

发明提供一种BOD电路,第三至第六PMOS管和第二、第三NMOS管;其中第三PMOS管的源极、第六PMOS管的源极共同连接电源电压;第三PMOS管的漏极与第四PMOS管的源极连接;第三、第四PMOS管的栅极相互连接;第四PMOS管的漏极与第五PMOS管的源极连接;第五PMOS管的栅极和漏极、第六PMOS管的栅极与第二NMOS管的漏极、栅极以及第三NMOS管的栅极相互连接;第六PMOS管的漏极与第三NMOS管的漏极连接;第二、第三NMOS管的源极共同接地;第六PMOS管的漏极与第三NMOS管的漏极之间为该BOD电路的信号输出端。本发明的BOD电路是在传统BOD电路的基础上作出改进,将传统BOD电路的基准电流产生电路和电流镜像电路进行合并,可以有效降低功耗并且减小占用面积,有利于提高产能。

技术领域

本发明涉及一种电路设计领域,特别是涉及一种BOD电路。

背景技术

如图1所示,图1为传统BOD电路,包含第一至第六PMOS管、第一至第三NMOS管以及两个反相放大器。其中,第一、第三第六PMOS管的源极都一同连接电源电压VPWR,第二PMOS管的源极与第一PMOS管的漏极相连,第三PMOS管的漏极与第四PMOS管的源极相互连接;第四PMOS管的漏极与第五PMOS管的源极相连接;第五、第六PMOS管的栅极与第二NMOS管的漏极连接;第六PMOS管的漏极与第三NMOS管的漏极相接;第二PMOS管的漏极与第一NMOS管的漏极、栅极以及第二NMOS管的栅极、第三NMOS管的栅极连接;第六PMOS管的漏极与第三NMOS管的漏极之间作为该BOD电路的VT输出端,在该VT输出端顺次连接第一、第二反相放大器,第二反相放大器的输出端为该BOD电路的VOUT信号输出端。

该BOD(Brown-Out Detector)电路用于监控电源电压,在电源电压下降到一定数值时输出标识信号。这种常见BOD电路把电源电压变化转化为电流,再和内建电流基准进行比较,从而实现监控电源电压变化。然而该BOD电路功耗高并且占用面积大。

因此,为了降低BOD电路的功耗并且减小其占用面积,需要提出一种新的改进型BOD电路用于克服以上缺陷。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点,本发明的目的在于提供一种BOD电路,用于解决现有技术中传统BOD电路功耗高并且占用面积大的问题。

为实现上述目的及其他相关目的,本发明提供一种BOD电路,至少包括:第三至第六PMOS管和第二、第三NMOS管;其中所述第三PMOS管的源极、第六PMOS管的源极共同连接电源电压VPWR;所述第三PMOS管的漏极与第四PMOS管的源极连接;所述第三、第四PMOS管的栅极相互连接;所述第四PMOS管的漏极与所述第五PMOS管的源极连接;所述第五PMOS管的栅极和漏极、第六PMOS管的栅极与所述第二NMOS管的漏极、栅极以及所述第三NMOS管的栅极相互连接;所述第六PMOS管的漏极与所述第三NMOS管的漏极连接;所述第二、第三NMOS管的源极共同接地;所述第六PMOS管的漏极与所述第三NMOS管的漏极之间为该BOD电路的信号输出端。

优选地,所述第三PMOS管的bulk端、第四PMOS管的bulk端以及所述第五、第六PMOS管的bulk端共同接所述电源电压VPWR。

优选地,所述第二NMOS管的bulk端与所述第三NMOS管的bulk端共同接地。

优选地,所述BOD电路的信号输出端顺次连接第一反相放大器和第二反相放大器。

优选地,所述第二反相放大器的输出端输出信号VOUT。

优选地,所述第三、第四PMOS管的栅极共同接地。

优选地,所述第三、第四PMOS管形成该BOD电路的电阻。

优选地,所述第二、第三NMOS管形成该BOD电路的镜像NMOS管。

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