[发明专利]一种BOD电路有效
| 申请号: | 201910679603.1 | 申请日: | 2019-07-26 |
| 公开(公告)号: | CN110308317B | 公开(公告)日: | 2022-01-14 |
| 发明(设计)人: | 袁志勇 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号: | G01R19/00 | 分类号: | G01R19/00;G01R19/165;G01R31/40 |
| 代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 戴广志 |
| 地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 bod 电路 | ||
1.一种BOD电路,其特征在于,包括:
第三至第六PMOS管和第二、第三NMOS管;其中所述第三PMOS管的源极、第六PMOS管的源极共同连接电源电压VPWR;所述第三PMOS管的漏极与第四PMOS管的源极连接;所述第三、第四PMOS管的栅极相互连接;所述第四PMOS管的漏极与所述第五PMOS管的源极连接;所述第五PMOS管的栅极和漏极、第六PMOS管的栅极与所述第二NMOS管的漏极、栅极以及所述第三NMOS管的栅极相互连接;所述第六PMOS管的漏极与所述第三NMOS管的漏极连接;所述第二、第三NMOS管的源极共同接地;所述第六PMOS管的漏极与所述第三NMOS管的漏极之间为该BOD电路的信号输出端;
所述第三PMOS管的bulk端、第四PMOS管的bulk端以及所述第五、第六PMOS管的bulk端共同接所述电源电压VPWR;
所述第二NMOS管的bulk端与所述第三NMOS管的bulk端共同接地。
2.根据权利要求1所述的BOD电路,其特征在于:所述BOD电路的信号输出端顺次连接第一反相放大器和第二反相放大器。
3.根据权利要求2所述的BOD电路,其特征在于:所述第二反相放大器的输出端输出信号VOUT。
4.根据权利要求1所述的BOD电路,其特征在于:所述第三、第四PMOS管的栅极共同接地。
5.根据权利要求1所述的BOD电路,其特征在于:所述第三、第四PMOS管形成该BOD电路的电阻。
6.根据权利要求1所述的BOD电路,其特征在于:所述第二、第三NMOS管形成该BOD电路的镜像NMOS管。
7.根据权利要求1所述的BOD电路,其特征在于:所述第三、第四、第五PMOS管以及所述第二NMOS管为该BOD电路产生电流。
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