[发明专利]一种制作小线宽脊状波导的方法在审
| 申请号： | 201910673946.7 | 申请日： | 2019-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN110488416A | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 苏州辰睿光电有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/136 | 分类号： | G02B6/136;G02B6/122 |
| 代理公司： | 11250 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张韬<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 215000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种制作小线宽脊状波导的方法，旨在解决现有技术中工艺复杂，成本高，仍存在改善后的侧壁粗糙度或脊状波导线宽不能满足使用需求的问题，其技术要点以下步骤：S1、选取衬底，在衬底上外延生长有波导芯层；S2、在波导芯层的顶部镀掩膜层，并去除光刻胶；S3、在掩膜层上涂覆光刻胶并曝光显影；S4、刻蚀未被光刻胶覆盖的部分掩膜层；S5、湿法刻蚀以形成第一波导芯；S6、在波导芯层上涂覆光刻胶并覆盖第一波导芯及掩膜层，然后根据掩膜层对光刻胶进行光刻至曝露出所述波导芯层；S7、再次湿法刻蚀以形成第二波导芯；S8、重复步骤S6‑S7，第N次湿法刻蚀以形成波导芯并使得波导芯达到预定厚度；S9、去除掩膜层。 | ||
| 搜索关键词： | 掩膜层 波导芯 波导芯层 光刻胶 湿法刻蚀 衬底 去除 涂覆 半导体技术领域 波导线宽 技术要点 曝光显影 外延生长 粗糙度 波导 侧壁 光刻 脊状 刻蚀 宽脊 小线 覆盖 重复 制作 | ||
【主权项】：
1.一种制作小线宽脊状波导的方法，其特征在于，包括以下步骤：/nS1、选取衬底(1)，在所述衬底(1)上外延生长有波导芯层(2)；/nS2、在所述波导芯层(2)的顶部镀绝缘介电质作为掩膜层(3)；/nS3、在所述掩膜层(3)上涂覆光刻胶(4)并曝光显影；/nS4、刻蚀未被所述光刻胶(4)覆盖的部分所述掩膜层(3)至曝露出所述波导芯层(2)，并去除所述光刻胶(4)；/nS5、将所述衬底(1)具有掩膜层(3)的一面向上水平放置并浸没于刻蚀液中，形成第一波导芯(21)；/nS6、在所述波导芯层(2)上涂覆光刻胶(4)并覆盖所述第一波导芯(21)及掩膜层(3)，然后根据所述掩膜层(3)对所述光刻胶(4)进行光刻至曝露出所述波导芯层(2)；/nS7、再次将所述衬底(1)具有掩膜层(3)的一面向上水平放置并浸没于刻蚀液中，形成第二波导芯(22)；/nS8、重复步骤S6-S7，第N次将所述衬底(1)具有掩膜层(3)的一面向上水平放置并浸没于刻蚀液中，形成波导芯(23)并使得所述波导芯(23)达到预定厚度；/nS9、去除掩膜层(3)。/n
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