[发明专利]NP电极共平面倒装Micro-LED微显示阵列及制作方法

摘要

本发明公开了NP电极共平面倒装Micro‑LED微显示阵列及制作方法，包括电致发光阵列、倒装结合层、阵列倒装基板；电致发光阵列包括：像素单元、像素单元隔离槽、衬底；像素单元包括：N型半导体、有源区、P型半导体、绝缘层、N型电极、P型电极；阵列倒装基板包括：基板衬底、P电极互连线，N电极互连线、绝缘层。对外延材料进行干法刻蚀至N型半导体得到电极沟槽，并将像素单元隔离成两部分，然后生长绝缘层对电极沟槽侧壁进行保护，再溅射电极。使用干法刻蚀至衬底得到像素隔离槽，实现相邻像素电隔离。本发明采用倒装加共晶焊\回流焊方式可以提高芯片金属电极与下基板接触面积，从而提高热传导效率和机械强度。

主权项

1.NP电极共平面倒装Micro-LED微显示阵列，其特征在于：包括，电致发光阵列(1)、倒装结合层(17)、倒装基板(15)；/n其中电致发光阵列(1)包括多个发光二极管像素单元(13)、像素单元隔离槽(8)和衬底(2)，像素单元隔离槽(8)设置在各个发光二极管像素单元(13)之间；每个所述的发光二极管像素单元(13)包含N型半导体(3)、N型电极(7)、有源区(4)、P型半导体(5)、P型电极(6)、电极沟槽(9)和绝缘层(12)；通过MOCVD方法将N型半导体(3)制作在衬底(2)上面，量子阱有源区(4)制作在N型半导体(3)上面，P型半导体制作在量子阱有源区(4)上面；通过ICP干法刻蚀形成电极沟槽(9)；通过PECVD制作绝缘层(12)包覆住电极沟槽(9)，并腐蚀掉位于电极沟槽(9)底部的绝缘层(12)，露出N型半导体(3)；通过溅射/蒸镀方法制作N型电极(7)、P型电极(6)；/n倒装基板(15)从下至上分别是基板衬底(18)、在基板衬底(18)表面上的X电极互联线(11)、开有电极窗口(14)的绝缘层(12)、Y电极互联线(10)；倒装结合层(17)设置在Y电极互联线(10)和X电极互联线(11)上。/n