[发明专利]一种提高DDR存储总线利用率的方法和装置有效
| 申请号： | 201910667456.6 | 申请日： | 2019-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN110362516B | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 宋超;黄年畤 | 申请（专利权）人： | 南京凯鼎电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G06F13/16 | 分类号： | G06F13/16;G06F3/06 |
| 代理公司： | 南京聚匠知识产权代理有限公司 32339 | 代理人： | 孙乔乔 |
| 地址： | 210031 江苏省南京市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明提供一种提高DDR存储总线利用率的方法，包括以下步骤：(1)接受命令，按照命令入口的顺序进行缓存形成命令缓存队列，并输出命令至DDR存储器；(2)在形成命令缓存队列的同时，记录命令缓存队列中命令的序列及访问的地址信息；(3)记录从命令缓存队列输出时的命令地址信息并开始计时，反馈计时结果、bank信息；(4)根据步骤(2)中记录的命令缓存队列中命令的序列及访问的地址信息，以及步骤(3)中反馈的结果进行筛查，查找同bank同row命令，将同bank同row的命令提前到命令缓存队列前端。本发明还提供一种提高DDR存储总线利用率的装置，由命令缓存队列模块、计时模块和监控模块组成。本发明提供的一种提高DDR存储总线利用率的方法或装置，可以不受Buffer深度的限制，完全以t |
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| 搜索关键词： | 一种 提高 ddr 存储 总线 利用率 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种提高DDR存储总线利用率的方法,其特征在于，包括以下步骤：1)接收命令，并按照命令入口的顺序进行缓存形成命令缓存队列，并输出命令至DDR存储器；2)在形成命令缓存队列的同时，记录命令缓存队列中命令的序列及访问的地址信息；3)记录从命令缓存队列输出时的命令地址信息并开始计时，反馈计时结果、bank信息；4)根据步骤(2)中记录的命令缓存队列中命令的序列及访问的地址信息，以及步骤(3)中反馈的计时结果和bank信息进行筛查，查找同bank同row命令，将同bank同row的命令提前到命令缓存队列前端。
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