[发明专利]被加工物的加工方法在审
| 申请号： | 201910660721.8 | 申请日： | 2019-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN110828306A | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 小松淳 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B24B7/10;B24B7/22 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 乔婉;于靖帅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供被加工物的加工方法，抑制产生被加工物的翘曲。在紫外线照射步骤中，在与背面磨削步骤的环境温度相比成为低温的状态下使液态的树脂硬化而形成树脂层(10)。在背面磨削步骤中，在提高树脂层(10)的温度之后，对晶片(1)进行磨削。在本加工方法中，在树脂层(10)中产生沿径向朝内的收缩力(箭头C)以及由于树脂层(10)的热膨胀而产生的沿径向朝外的膨胀力(箭头D)，该收缩力和该膨胀力抵消。因此，即使对晶片(1)进行磨削而使其薄化，也可抑制晶片(1)被树脂层(10)拉拽，因此能够抑制产生晶片(1)的翘曲。 | ||
| 搜索关键词： | 加工 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
