[发明专利]一种自屏蔽梯度线圈的设计方法有效

专利信息
申请号: 201910658436.2 申请日: 2019-07-22
公开(公告)号: CN110456293B 公开(公告)日: 2021-07-20
发明(设计)人: 李良安;陈琳鑫;安学亮;陈春霞 申请(专利权)人: 惠仁望都医疗设备科技有限公司
主分类号: G01R33/385 分类号: G01R33/385;G01R33/421
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 072450 河北省*** 国省代码: 河北;13
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摘要: 发明公开了一种自屏蔽梯度线圈的设计方法,首先将根据成像区域目标点磁场值,通过边界元法和流函数法求出梯度线圈主线圈最大尺寸及主线圈在成像区域和屏蔽区域目标点的磁场值,根据主线圈在成像区域和屏蔽区域的磁场值来设定屏蔽线圈的目标点,从而控制屏蔽线圈在成像区域的磁场值,以实现对自屏蔽梯度线圈的功耗的控制。本发明采用上述结构的自屏蔽梯度线圈的设计方法,能有效提高自屏蔽梯度线圈的效率,降低自屏蔽梯度线圈的功耗。
搜索关键词: 一种 屏蔽 梯度 线圈 设计 方法
【主权项】:
1.一种自屏蔽梯度线圈的设计方法,其特征在于:步骤如下:/n步骤一:导入主梯度线圈网格,将主梯度线圈区域分为三维三角形网格节点;/n步骤二:将成像区域直径360mm球体表面均匀划分156个目标点,采用MATLAB软件读取三角网格的各个顶点和面的坐标值,优化顶点和面的排布顺序,确定成像区域目标点坐标值;/n步骤三:根据成像区域目标点坐标值计算主线圈在成像区域理想梯度磁场值;/n步骤四:根据边界元法,设置导线尺寸,计算源点区域通电导线对成像区域目标点的磁场贡献值;/n步骤五:通过Quadprog二次规划方法,约束主线圈的功耗做小,计算出主线圈上电流的大小和方向;/n步骤六:通过流函数法得到主线圈的实际绕线形状;/n步骤七:根据主线圈的实际绕线形状,通过奥萨伐尔公式计算出成像区域目标点和屏蔽区域目标点磁场值;/n步骤八:以屏蔽区域目标点磁场值作为屏蔽线圈在屏蔽区域的理想磁场值,以主线圈在理想区域设计值的1/5作为屏蔽线圈在成像区域的理想磁场值;/n步骤九:导入屏蔽线圈的网格,排序网格顶点和三角面;/n步骤十:根据边界元法和给定的导线尺寸,计算源点区域通电导线对成像区域目标点的磁场贡献值;/n步骤十一:通过Quadprog二次规划方法,约束主线圈的功耗最小,计算出主线圈上电流的大小和方向;/n步骤十二:通过流函数法得到主线圈的实际绕线形状。/n
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